TXS0108E

アクティブ

オープン・ドレインとプッシュプルの各アプリケーション向け、8 ビット、双方向電圧レベル・シフタ

製品詳細

Technology family TXS Applications I2C, MDIO, SMbus Bits (#) 8 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 1 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.4 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) 0 IOL (max) (mA) 0 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Output enable, Vcc isolation Input type Transmission Gate Output type 3-State, Transmission Gate Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
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NFBGA (NME) 20 7.5 mm² 2.5 x 3 TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4 VQFN (RGY) 20 15.75 mm² 4.5 x 3.5
  • 方向制御信号不要
  • 最大データレート
    • 110Mbps (プッシュプル)
    • 1.2Mbps (オープン・ドレイン)
  • 1.4V~3.6V (A ポート)、1.65V~5.5V (B ポート) (V CCA ≦ V CCB)
  • 電源投入のシーケンス不要―V CCA と V CCB のいずれからでも立ち上げ可能
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護 (A ポート)
    • 2000V、人体モデル (A114-B)
    • 150V、マシン・モデル (A115-A)
    • 1000V、デバイス帯電モデル (C101)
  • IEC 61000-4-2 ESD (B ポート)
    • 接触放電:±8kV
    • 空中放電:±6kV
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  • 最大データレート
    • 110Mbps (プッシュプル)
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  • 1.4V~3.6V (A ポート)、1.65V~5.5V (B ポート) (V CCA ≦ V CCB)
  • 電源投入のシーケンス不要―V CCA と V CCB のいずれからでも立ち上げ可能
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護 (A ポート)
    • 2000V、人体モデル (A114-B)
    • 150V、マシン・モデル (A115-A)
    • 1000V、デバイス帯電モデル (C101)
  • IEC 61000-4-2 ESD (B ポート)
    • 接触放電:±8kV
    • 空中放電:±6kV

このデバイスは、2 本の独立した設定可能な電源レールを使用する 8 ビット非反転レベル・トランスレータです。A ポートは V CCA ピンの電源電圧に追従し、V CCA ピンには 1.4V~3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB ピンの電源電圧に追従します。V CCB ピンには 1.65V~5.5V の電源電圧を供給できます。2 つの入力電源ピンにより、 1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で低電圧の双方向変換が可能になります。

出力イネーブル (OE) 入力が Low のとき、全出力が高インピーダンス (Hi-Z) 状態になります。

電源投入時または切断時の Hi-Z 状態を確保するには、OE をプルダウン抵抗で GND につなぐ必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

このデバイスは、2 本の独立した設定可能な電源レールを使用する 8 ビット非反転レベル・トランスレータです。A ポートは V CCA ピンの電源電圧に追従し、V CCA ピンには 1.4V~3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB ピンの電源電圧に追従します。V CCB ピンには 1.65V~5.5V の電源電圧を供給できます。2 つの入力電源ピンにより、 1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で低電圧の双方向変換が可能になります。

出力イネーブル (OE) 入力が Low のとき、全出力が高インピーダンス (Hi-Z) 状態になります。

電源投入時または切断時の Hi-Z 状態を確保するには、OE をプルダウン抵抗で GND につなぐ必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

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技術資料

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設計と開発

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試験報告書: PDF
回路図: PDF
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TSSOP (PW) 20 オプションの表示
VQFN (RGY) 20 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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