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設計および開発

LMG3411EVM-018

LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

購入

LMG3411EVM-018

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概要

LMG3411EVM-018 configures two LMG3411R050 GaN FETs in a half bridge with cycle by cycle over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.  This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.

特長
  • Input voltage operates up to 600V
  • Simple open loop design to evaluate performance of LMG3411R050
  • Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead time
  • Cycle by cycle over current protection function
  • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN
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購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3411R050 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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設計ファイル

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
データシート LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
データシート LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
証明書 LMG3411EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 3月 12日

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