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設計および開発

LMG3411EVM-031

LMG3411R150 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

購入

LMG3411EVM-031

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概要

LMG3411EVM-031 は、2 個の LMG3411R150 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能を実装し、必要とされるすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。  この EVM は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作するように設計されています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3411R150 の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN
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購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3411R150 GaN FET power stage

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ドーター・カード

LMG3411EVM-031 — LMG3411R150 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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設計ファイル

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) LMG3411R150-031 EVM user guide 2019年 1月 17日
データシート LMG341xR150 600-V, 150-mΩ, GaN FET with Integrated Driver and Protection データシート (Rev. B) PDF | HTML 2020年 2月 13日
データシート LMG341xR150 ドライバおよび保護機能を搭載した 600V、150mΩ GaN データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 8月 26日
証明書 LMG3411EVM-031 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 3月 18日

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