LMG3410R070 ドーター・カード

(供給中) LMG3410-HB-EVM

概要/特長

技術資料

サポートとトレーニング

注文情報


Important Note

This kit does not include the LMG34xx-BB-EVM motherboard. You can design your own motherboard, but if you want to start bench testing immediately, order both items now.

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概要

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価モジュールは、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載し、GaN デバイスのスイッチングの迅速な測定を可能にします。 この評価モジュールは適切な熱管理(強制空冷、低周波動作など)を行うと、最大動作温度を超えず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価モジュールはオープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。
相補型パルス幅変調信号と、ボード上に生成される対応デッドタイムにより、必要とされるパルス幅変調入力はわずか一つです。 短いグランド・スプリングを搭載しているオシロスコープのプローブにより、ロジックと出力段の主な波形を測定するため、プローブ点が用意されています。

LMG3410-HB-EVM は、2 個の LMG3410 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に必要なすべての補助ペリフェラル回路を備えています。  この評価モジュールは、LMG34XX-BB-EVM やカスタム設計の出力段など、より大規模なシステムと組み合わせて使用できます。  高性能レイアウト上の LMG3410 に利便性の高い接続ポイントを提供しており、動作とインサーキット測定を迅速かつ容易に実現できます。

必要な回路がすべて実装されているため、レベルシフトや絶縁は不要です。  補助バイアスは 2 つの方法で生成できます。デフォルトは 5V 単一入力のみを必要とする絶縁型電源で、12V ブートストラップ・モードで動作するように構成を変更することも可能です。  露出銅パッドが用意されており、消費電力がより大きい場合にヒートシンク・アセンブリを取り付けることができます。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG3410 の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • デッドタイムが 50ns の PWM 信号に対応する、単一 PWM 入力をオンボードに搭載
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点

製品内容

  • LMG3410-HB-EVM

注文
型番 TI またはサードパーティからご購入 オーダー・オプション 供給状況

LMG3410-HB-EVM:
LMG3410R070 ドーター・カード

$199.00(USD)


該当なし ACTIVE

LMG34XX-BB-EVM :
LMG34xx GaN システム・レベルの評価マザー・ボード

$199.00(USD)


価格は各社サイトをご覧ください



ACTIVE

TI's Standard Terms and Conditions for Evaluation Modules apply.

技術資料
データシート (1)
タイトル 概要 種類 サイズ (KB) 日付 英語版
PDF 1415 2018年 9月 27日
ユーザー・ガイド (1)
タイトル 概要 種類 サイズ (KB) 日付 英語版
PDF 3636 2017年 5月 3日
セレクション・ガイド (1)
タイトル 概要 種類 サイズ (KB) 日付 英語版
PDF 1096 2017年 4月 5日
設計ファイル (1)
タイトル 概要 種類 サイズ (KB) 日付 英語版
ZIP 10151 2017年 4月 10日
その他の技術資料 (1)
タイトル 概要 種類 サイズ (KB) 日付 英語版
PDF 38 2019年 1月 2日
関連製品

TI デバイス (2)

型番 名前 製品ファミリ
ISO7831  ISO783x 高性能、8000 VPK より増強された、3 チャネル・デジタル・アイソレータ  アイソレーション 
LMG3410R070  ドライバ / 保護機能内蔵 600V、70mΩ GaN  GaN(窒化ガリウム) 

サポートとトレーニング

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