MicroSiP™ と MicroSiL DC/DC パワー・モジュール

  • 最小ソリューション・サイズ
  • 高い電力密度
  • 優れた放熱特性
  • 高効率

迅速な設計を可能にする MicroSiP と MicroSiL 関連リソースをご活用ください。

MicroSiP パワー・モジュール・パッケージ

MicroSiP パワー・モジュールの線寸法はすべてミリメートル単位です。 MicroSiP パッケージ構成は以下のとおりです。 アレイの個数については、製品データシートをご参照ください。 3x3 マトリクスのパターンは参考用画像です

8 ピン MicroSiP パッケージ図


WEBENCH® Designer

9 ピン MicroSiP パッケージ図


MicroSiP パワー・モジュールの基板レイアウト

MicroSiP ハンダ・バンプのパッド・サイズを決定する際には、非ハンダ・マスク定義(NSMD)ランドを使用することを推奨します。 これにより、ハンダ・マスクの開口部が対象のランド領域より大きくなります。開口部のサイズは銅パッドの幅により決まります。 下表は 8 ピン MicroSiP レイアウトに最適な直径を示しています。

ヒント

  • NSMD 定義の PWB ランドの回路トレースは、ハンダ・マスクの開口部の露出領域が幅 75µm~100µm である必要があります。 パターン幅が広くなると、デバイスのスタンド・オフとインパクトの信頼性が低下します。
  • PWB ラミネート・グラスの遷移温度がアプリケーションでの動作範囲を上回る場合に、最高の信頼性が実現します。
  • 推奨されるハンダ・ペーストは、Type 3 または Type 4 です。
  • Ni/Au 表面仕上げの基板については、熱的疲労特性の劣化を防ぐために、金の厚さが 0.5mm 未満である必要があります。
  • ハンダ・マスクの厚さは、銅箔上で 20μm 未満である必要があります。
  • 最良のハンダ・ステンシルを実現できるのは、レーザー・カット・ステンシルと、電解研磨を使用する場合です。 化学的エッチングされたステンシルは、ハンダ・ペースト量の制御が困難です。
ランド・パターン寸法
ハンダ・パッド定義 銅パッド ハンダ・マスク(5)開口部 銅厚 ステンシル(6)開口部 ステンシル厚
非ハンダ・マスク定義(NSMD) 0.30mm .360mm 最大 1 オンス(0.032mm) 直径0.34mm 厚さ 0.1mm

MicroSiP パワー・モジュールの表面実装

MicroSiP パッケージの表面実装は、BGA パッケージのアセンブリと同様に行われます。 TI は、0.1mm 厚のステンシルを介して鉛フリー・ハンダ・ペーストを塗布することを推奨します。 限界ステンシル寸法を、基板レイアウトの項に示します。 このペーストは、基板ランドに対して SiP バンプを濡らし、リフロー中に SiP を適切な位置に保持する働きがあり、ハンダ接合の金属量にも寄与します。 近共晶 SnAgCu ハンダ合金に対しては標準の JEDEC リフロー・プロファイルを推奨します(最大 260℃)。° 基板 - SiP 間のハンダ接合高さは 120μm です。


基板レベルの信頼性データ

8 ピン MicroSiP
  試験パラメータ 結果(tfirst fail
落下 1500G/1.0ms のパルス > 100 回
温度サイクル -40/125℃、2 サイクル/時 > 1000 サイクル

これらのパッケージには、アンダーフィルおよび接着剤を使用していません(使用する必要がありません)。 プリコンディショニングは 3 パス・リフロー + 24hr/125℃ ベーク、0.7mm 厚 FR4 エポキシ主基板。