JAJSJV0A February   2015  – March 2021 INA225-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings (1)
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Selecting A Shunt Resistor
        1. 7.3.1.1 Selecting A Current-Sense Resistor Example
        2. 7.3.1.2 Optimizing Power Dissipation versus Measurement Accuracy
      2. 7.3.2 Programmable Gain Select
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Input Filtering
      2. 7.4.2 Shutting Down the Device
      3. 7.4.3 Using the Device with Common-Mode Transients Above 36 V
  8. 8 Applications and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Microcontroller-Configured Gain Selection
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curve
      2. 8.2.2 Unidirectional Operation
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.2.3 Application Curve
      3. 8.2.3 Bidirectional Operation
        1. 8.2.3.1 Design Requirements
        2. 8.2.3.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.3.3 Application Curve
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 Documentation Support
      1. 11.1.1 Related Documentation
    2. 11.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 Trademarks
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  12. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • AEC-Q100 準拠
    • 温度グレード 1：–40℃～+125℃
    • HBM ESD 分類レベル 2
    • CDM ESD 分類レベル C4B
  • 機能安全対応
  • 広い同相電圧範囲：0V～36V
  • オフセット電圧：±150μV (最大値、全ゲイン)
  • オフセット電圧ドリフト：0.5μV/℃以下
  • ゲイン精度 (温度範囲全体での最大値)：
    • 25V/V、50V/V：±0.15%
    • 100V/V：±0.2%
    • 200V/V：±0.3%
    • ゲイン・ドリフト：10ppm/℃
  • 帯域幅：250kHz (ゲイン = 25V/V)
  • プログラマブル・ゲイン：
    • G1 = 25V/V
    • G2 = 50V/V
    • G3 = 100V/V
    • G4 = 200V/V
  • 静止電流：350μA 以下
  • パッケージ：8 ピン VSSOP