JAJSBW4B May   2004  – September 2016 LM5110

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Device Options
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Input Stage and Level Shifter
      2. 8.3.2 Output Stage
      3. 8.3.3 Turn-off with Negative Bias
      4. 8.3.4 UVLO and Power Supplies
      5. 8.3.5 Shutdown SHDN
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Applications and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Parallel Outputs
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Considerations
      1. 11.3.1 Drive Power Requirement Calculations in LM5110
      2. 11.3.2 Continuous Current Rating of LM5110
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 12.2 コミュニティ・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 2つのNチャネルMOSFETを独立して駆動
  • CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
  • シンク5A、ソース3Aの電流能力
  • 2つのチャネルを並列接続して駆動電流を2倍にすることが可能
  • 互いに独立した入力(TTL互換)
  • 短い伝搬時間(代表値25ns)
  • 短い立ち上がり/立ち下がり時間(2nF負荷で14ns/12nsの立ち上がり/立ち下がり)
  • 専用の入力グランド・ピン(IN_REF)による正負2電源または単一電源による動作
  • VCC～VEEの出力スイング(入力グランド基準で負の電圧も可)
  • デュアル非反転、デュアル反転、および組み合わせ構成に対応
  • シャットダウン入力による低消費電力モード
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 業界標準のゲート・ドライバと互換性のあるピン配置
  • パッケージ
    • SOIC-8
    • WSON-10 (4mm×4mm)

2 アプリケーション

  • 同期整流器ゲート・ドライバ
  • スイッチ・モード電源ゲート・ドライバ
  • ソレノイドおよびモータ・ドライバ

3 概要

LM5110デュアル・ゲート・ドライバは、業界標準のゲート・ドライバと比較して、ピーク出力電流および効率が向上しています。“複合”出力ドライバの各ステージではMOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から最大5Aのピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動を低減します。入力と出力のグランド・ピンを個別に備えることで負電圧駆動が可能となり、正および負のVGS電圧でMOSFETのゲートを駆動できます。ゲート・ドライバ制御入力は、専用の入力グランド（IN_REF）を基準とします。ゲート・ドライバ出力のスイング範囲はVCCから出力グランドVEEまでであり、VEEはIN_REFに対して負でもかまいません。。低電圧誤動作防止機能、およびシャットダウン入力ピンも搭載されています。入力および出力を互いに接続して2つのドライバを並列で動作させると、駆動電流を2倍にすることができます。このデバイスは、SOIC-8パッケージ、および熱特性を強化したWSON-10パッケージで供給されます。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ(公称)
LM5110 SOIC (8) 4.90mm×3.91mm
WSON (10) 4.00mm×4.00mm
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

アプリケーション概略図

LM5110 application-lm5110.gif

4 改訂履歴

Changes from A Revision (November 2012) to B Revision

  • Added 「ESD定格」表、「機能説明」セクション、「デバイスの機能モード」セクション、「アプリケーションと実装」セクション、「電源に関する推奨事項」セクション、「レイアウト」セクション、「デバイスおよびドキュメントのサポート」セクション、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」セクションGo
  • Added Thermal Information table. Go