JAJSMX2B September   2021  – July 2022 LM74721-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. Revision History
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Reverse Battery Protection (A, C, GATE)
        1. 8.3.1.1 Input TVS Less Operation: VDS Clamp
      2. 8.3.2 Load Disconnect Switch Control (PD)
      3. 8.3.3 Overvoltage Protection and Battery Voltage Sensing (VSNS, SW, OV)
      4. 8.3.4 Boost Regulator
    4. 8.4 Shutdown Mode
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical 12-V Reverse Battery Protection Application
      1. 9.2.1 Design Requirements for 12-V Battery Protection
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Boost Converter Components (C2, C3, L1)
        2. 9.2.2.2 Input and Output Capacitance
        3. 9.2.2.3 Hold-Up Capacitance
        4. 9.2.2.4 MOSFET Selection: Q1
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 What to Do and What Not to Do
  10. 10Power Supply Recommendations
    1. 10.1 Transient Protection
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 Trademarks
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 Glossary
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DRR|12
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1:
      –40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 3V~65V の入力範囲
  • 最低 -33V までの逆入力保護
  • 入力 TVS なしで動作するための内蔵 VDS クランプにより ISO7637 パルス抑制
  • 動作時の低い静止電流:35µA (最大値)
  • 低いシャットダウン電流 (EN = LOW):3.3µA (最大値)
  • アノードからカソードへ 17mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
  • 外部のバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
  • 30mA の昇圧レギュレータを内蔵
  • 逆電流阻止に対する高速応答:0.5μs
  • 最大 100kHz のアクティブ整流
  • 調整可能な過電圧保護機能
  • 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給
  • LM74720-Q1 とピン互換