JAJSCD4 August   2016 OPA657-DIE

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4静電気放電に関する注意事項
  5. 5Bare Die Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • TD|0
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 高いゲイン帯域幅積: 1.6GHz
  • 高い帯域幅: 275MHz (G = 10)
  • スルー・レート: 700V/µs (G = 10、1V刻み)
  • 低い入力オフセット電圧: ±250µV
  • 低い入力バイアス電流: 2pA
  • 低い入力電圧ノイズ: 4.8nV/√Hz
  • 高い出力電流: 70mA
  • 高速なオーバードライブ回復

2 アプリケーション

  • 広帯域フォトダイオード・アンプ
  • ウェハ・スキャン機器
  • ADC入力アンプ
  • テストおよび計測フロントエンド
  • 高ゲインの高精度アンプ
  • 光学時間領域反射率測定(OTDR)

3 概要

OPA657デバイスは、ゲイン帯域幅が高く、歪みが低い電圧帰還型オペアンプで、電圧ノイズの低いJFET入力段により、非常にダイナミック・レンジが広いアンプであるため、高精度のA/Dコンバータ(ADC)の駆動や、広帯域トランスインピーダンス・アプリケーションに使用できます。フォトダイオード・アプリケーションでは、この補償なしでゲイン帯域幅の高いアンプにより、ノイズと帯域幅を改善できます。

帯域幅と精度が非常に優れているため、非常に低レベルの信号を、単一のOPA657ゲイン段で大幅に増幅できます。入力バイアス電流と容量が非常に低いため、ソースのインピーダンスが比較的高い場合もこのパフォーマンスを実現できます。広帯域の光検知アプリケーションは、OPA657の低電圧ノイズのJFET入力からメリットが得られます。JFET入力は電流ノイズが事実上ゼロであるため、このデバイスは高ゲインのフォトダイオード・アプリケーションに理想的です。

Ordering Information(1)

PRODUCT PACKAGE
DESIGNATOR		 PACKAGE ORDERABLE PART NUMBER PACKAGE QUANTITY
OPA657 TD Bare Die in Gel Pak VR(2) OPA657TD1 324
OPA657TD2 10
(1) For the most current package and ordering information, see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI web site at www.ti.com.
(2) Processing is per the Texas Instruments commercial production baseline and is in compliance with the Texas Instruments Quality Control System in effect at the time of manufacture. Electrical screening consists of DC parametric and functional testing at room temperature only. Unless otherwise specified by Texas Instruments AC performance and performance over temperature is not warranted. Visual Inspection is performed in accordance with MIL-STD-883 Test Method 2010 Condition B at 75X minimum.