JAJSI03K June   2004  – May 2020 SN74AUP1G32

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  Handling Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics
    6. 6.6  Switching Characteristics, CL = 5 pF
    7. 6.7  Switching Characteristics, CL = 10 pF
    8. 6.8  Switching Characteristics, CL = 15 pF
    9. 6.9  Switching Characteristics, CL = 30 pF
    10. 6.10 Operating Characteristics
    11. 6.11 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Propagation Delays, Setup and Hold Times, and Pulse Width
    2. 7.2 Enable and Disable Times
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 Trademarks
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 用語集
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 0.64mm2、0.5mm ピッチの超小型パッケージ (DPW) で供給
  • 小さい静的消費電力
    (ICC = 0.9µA、最大値)
  • 小さい動的消費電力
    (3.3V で Cpd = 4.3pF、標準値)
  • 小さい入力容量 (CI = 1.5pF、標準値)
  • 小さいノイズ – オーバーシュートおよびアンダーシュートは VCC の 10% 未満
  • Ioff により活線挿抜、部分的パワーダウン・モード、バック・ドライブ保護をサポート
  • 入力ヒステリシスにより、低速の入力遷移が可能で、入力におけるスイッチング・ノイズ耐性が向上 (3.3V で Vhys = 250mV、標準値)
  • 広い動作 VCC 範囲：0.8V～3.6V
  • 3.3V 動作用に最適化
  • 3.6V I/O 許容で、混在モードの信号動作をサポート
  • 3.3V で tpd = 4.6ns (最大値)
  • ポイント・ツー・ポイントのアプリケーションに好適
  • JESD 78、Class II 準拠で
    100mA 超のラッチアップ性能
  • ESD 性能は JESD 22 に準拠しテスト済み
    • 2000V、人体モデル
      (A114-B、Class II)
    • 1000V、デバイス帯電モデル (C101)