JAJSLW3B October   2021  – May 2022 SN74LXC2T45

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成と機能
  6. 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電気的特性
    6. 6.6  スイッチング特性:Tsk、TMAX
    7. 6.7  スイッチング特性、VCCA = 1.2 ± 0.1V
    8. 6.8  スイッチング特性、VCCA = 1.5 ± 0.1V
    9. 6.9  スイッチング特性、VCCA = 1.8 ± 0.15V
    10. 6.10 スイッチング特性、VCCA = 2.5 ± 0.2V
    11. 6.11 スイッチング特性、VCCA = 3.3 ± 0.3V
    12. 6.12 スイッチング特性、VCCA = 5.0 ± 0.5V
    13. 6.13 動作特性
    14. 6.14 代表的特性
  7. パラメータ測定情報
    1. 7.1 負荷回路および電圧波形
  8. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 プルダウン内蔵の CMOS シュミット・トリガ入力
        1. 8.3.1.1 ダイナミック・プルダウン抵抗内蔵の I/O
        2. 8.3.1.2 スタティック・プルダウン抵抗内蔵の制御入力
      2. 8.3.2 バランスのとれた高駆動能力の CMOS プッシュプル出力
  9. 部分的パワーダウン (Ioff)
  10. 10VCC の絶縁および VCC の接続解除 (Ioff-float)
  11. 11過電圧許容入力
  12. 12グリッチの発生しない電源シーケンシング
  13. 13負のクランプ・ダイオード
  14. 14フル構成可能なデュアル・レール設計
  15. 15高速変換をサポート
  16. 16デバイスの機能モード
  17. 17アプリケーションと実装
    1. 17.1 アプリケーション情報
    2. 17.2 イネーブル時間
    3. 17.3 代表的なアプリケーション
      1. 17.3.1 設計要件
      2. 17.3.2 詳細な設計手順
  18. 18電源に関する推奨事項
  19. 19レイアウト
    1. 19.1 レイアウトのガイドライン
    2. 19.2 レイアウト例
  20. 20デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 20.1 ドキュメントのサポート
      1. 20.1.1 関連資料
    2. 20.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 20.3 サポート・リソース
    4. 20.4 商標
    5. 20.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 20.6 Glossary
  21. 21メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 完全に構成可能なデュアル・レール設計により、各ポートは 1.1V~5.5V で動作可能
  • 堅牢でグリッチの発生しない電源シーケンシング
  • 3.3V~5.0V で最高 420Mbps をサポート
  • シュミット・トリガ入力により低速またはノイズの多い入力に対応
  • ダイナミック・プルダウン抵抗を内蔵した I/O により、外付け部品数の削減が可能
  • スタティック・プルダウン抵抗を内蔵した制御入力により、制御入力のフローティングが可能
  • 高い駆動強度 (5V で最大 32mA)
  • 低い消費電力
    • 最大 3µA (25℃)
    • 最大 6µA (-40℃~125℃)
  • VCC 絶縁および VCC 切断 (Ioff-float) 機能
    • どちらかの VCC 電源が 100mV 未満になった場合または切断された場合、すべての I/O がプルダウンされた後に高インピーダンス状態に移行
  • Ioff により部分的パワーダウン・モードでの動作をサポート
  • LVC ファミリのレベル・シフタと互換
  • 制御ロジック (DIR) は VCCA 基準
  • 動作温度範囲:-40℃~+125℃
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデル 4000V
    • デバイス帯電モデル 1000V