JAJSNL4A
August 2022 – October 2022
TPS7H2221-SEP
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Derating Curves
6.8
Typical Characteristics
7
Parameter Measurement Information
7.1
Test Circuit and Timing Waveforms Diagrams
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
On and Off Control
8.3.2
Output Short Circuit Protection (ISC)
8.3.3
Fall Time (tFALL) and Quick Output Discharge (QOD)
8.3.3.1
QOD When System Power is Removed
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.2.1
Limiting Inrush Current
9.2.2.2
Setting Fall Time for Shutdown Power Sequencing
9.2.2.3
Application Curves
9.3
Application Curves
9.4
Power Supply Recommendations
9.5
Layout
9.5.1
Layout Guidelines
9.5.2
Layout Example
10
Device and Documentation Support
10.1
Related Documentation
10.2
Receiving Notification of Documentation Updates
10.3
サポート・リソース
10.4
Electrostatic Discharge Caution
10.5
Glossary
10.6
Export Control Notice
10.7
Third-Party Products Disclaimer
11
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
DCK|6
MPDS114C
サーマルパッド・メカニカル・データ
DCK|6
QFND228B
発注情報
jajsnl4a_oa
jajsnl4a_pm
1
特長
VID (Vendor Item Drawing) V62/22609 が利用可能
総照射線量 (TID) 耐性 = 30krad (Si)
すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの TID RLAT (放射線ロット受け入れテスト)
シングル・イベント効果 (SEE) の特性
シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、実効線エネルギー付与 (LET
EFF
) に対する耐性 = 43MeV-cm
2
/mg。
シングル・イベント過渡 (SET) およびシングル・イベント機能割り込み (SEFI) の、LET
EFF
に対する耐性 = 43MeV-cm
2
/mg。
動作入力電圧範囲 (V
IN
)：1.6～5.5V
推奨連続電流 (I
MAX
)：1.25A
オン抵抗 (R
ON
)
V
IN
= 5V で 116mΩ (標準値)
V
IN
= 3.3V で 115mΩ (標準値)
V
IN
= 1.8V で 133mΩ (標準値)
出力短絡保護 (I
SC
)：3A (標準値)
低い消費電力：
オン状態 (I
Q
)：8.3μA (標準値)
オフ状態 (I
SD
)：3nA (標準値)
低速のターンオン・タイミングによる突入電流制限 (t
ON
)：
5V 時の t
ON
= 1.68ms (3.61mV/μs 時)
3.3V 時の t
ON
= 1.51ms (2.91mV/μs 時)
1.8V 時の t
ON
= 1.32ms (2.15 mV/μs 時)
出力放電および立ち下がり時間を変更可能
V
IN
= 3.3V での内部 QOD 抵抗 = 9.2Ω（標準値）
宇宙向け強化プラスチック (SEP)
管理されたベースライン
金ボンド・ワイヤ
NiPdAu リード仕上げ
単一のアセンブリ / テスト施設
単一の製造施設
軍用温度範囲：-55℃～125℃
長い製品ライフ・サイクル
製品変更通知期間 (PCN) の延長
製品のトレーサビリティ
モールド・コンパウンドの改良による低いガス放出