JAJSG43B June   2012  – September 2018 CC430F5123 , CC430F5125 , CC430F5143 , CC430F5145 , CC430F5147 , CC430F6147

PRODUCTION DATA.  

  1. 1デバイスの概要
    1. 1.1 特長
    2. 1.2 アプリケーション
    3. 1.3 概要
    4. 1.4 機能ブロック図
  2. 2改訂履歴
  3. 3Device Comparison
    1. 3.1 Related Products
  4. 4Terminal Configuration and Functions
    1. 4.1 Pin Diagrams
    2. 4.2 Signal Descriptions
      1. Table 4-1 CC430F614x Terminal Functions
      2. Table 4-2 CC430F514x and CC430F512x Terminal Functions
  5. 5Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Active Mode Supply Current Into VCC Excluding External Current
    5. 5.5  Typical Characteristics – Active Mode Supply Currents
    6. 5.6  Low-Power Mode Supply Currents (Into VCC) Excluding External Current
    7. 5.7  Typical Characteristics – Low-Power Mode Supply Currents
    8. 5.8  Low-Power Mode With LCD Supply Currents (Into VCC) Excluding External Current
    9. 5.9  Thermal Resistance Characteristics, CC430F51xx
    10. 5.10 Thermal Resistance Characteristics, CC430F61xx
    11. 5.11 Digital Inputs
    12. 5.12 Digital Outputs
    13. 5.13 Typical Characteristics – Outputs, Reduced Drive Strength (PxDS.y = 0)
    14. 5.14 Typical Characteristics – Outputs, Full Drive Strength (PxDS.y = 1)
    15. 5.15 Crystal Oscillator, XT1, Low-Frequency Mode
    16. 5.16 Internal Very-Low-Power Low-Frequency Oscillator (VLO)
    17. 5.17 Internal Reference, Low-Frequency Oscillator (REFO)
    18. 5.18 DCO Frequency
    19. 5.19 PMM, Brownout Reset (BOR)
    20. 5.20 PMM, Core Voltage
    21. 5.21 PMM, SVS High Side
    22. 5.22 PMM, SVM High Side
    23. 5.23 PMM, SVS Low Side
    24. 5.24 PMM, SVM Low Side
    25. 5.25 Wake-up Times From Low-Power Modes and Reset
    26. 5.26 Timer_A
    27. 5.27 USCI (UART Mode) Clock Frequency
    28. 5.28 USCI (UART Mode)
    29. 5.29 USCI (SPI Master Mode) Clock Frequency
    30. 5.30 USCI (SPI Master Mode)
    31. 5.31 USCI (SPI Slave Mode)
    32. 5.32 USCI (I2C Mode)
    33. 5.33 LCD_B Operating Conditions
    34. 5.34 LCD_B Electrical Characteristics
    35. 5.35 10-Bit ADC, Power Supply and Input Range Conditions
    36. 5.36 10-Bit ADC, Timing Parameters
    37. 5.37 10-Bit ADC, Linearity Parameters
    38. 5.38 REF, External Reference
    39. 5.39 REF, Built-In Reference
    40. 5.40 Comparator_B
    41. 5.41 Flash Memory
    42. 5.42 JTAG and Spy-Bi-Wire Interface
    43. 5.43 RF1A CC1101-Based Radio Parameters
      1. 5.43.1  RF1A Recommended Operating Conditions
      2. 5.43.2  RF Crystal Oscillator, XT2
      3. 5.43.3  Current Consumption, Reduced-Power Modes
      4. 5.43.4  Current Consumption, Receive Mode
      5. 5.43.5  Current Consumption, Transmit Mode
      6. 5.43.6  Typical TX Current Consumption, 315 MHz, 25°C
      7. 5.43.7  Typical TX Current Consumption, 433 MHz, 25°C
      8. 5.43.8  Typical TX Current Consumption, 868 MHz
      9. 5.43.9  Typical TX Current Consumption, 915 MHz
      10. 5.43.10 RF Receive, Overall
      11. 5.43.11 RF Receive, 315 MHz
      12. 5.43.12 RF Receive, 433 MHz
      13. 5.43.13 RF Receive, 868 MHz and 915 MHz
      14. 5.43.14 Typical Sensitivity, 315 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      15. 5.43.15 Typical Sensitivity, 433 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      16. 5.43.16 Typical Sensitivity, 868 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      17. 5.43.17 Typical Sensitivity, 915 MHz, Sensitivity Optimized Setting
      18. 5.43.18 RF Transmit
      19. 5.43.19 Optimum PATABLE Settings for Various Output Power Levels and Frequency Bands
      20. 5.43.20 Typical Output Power, 315 MHz
      21. 5.43.21 Typical Output Power, 433 MHz
      22. 5.43.22 Typical Output Power, 868 MHz
      23. 5.43.23 Typical Output Power, 915 MHz
      24. 5.43.24 Frequency Synthesizer Characteristics
      25. 5.43.25 Typical RSSI_offset Values
  6. 6Detailed Description
    1. 6.1  Sub-1 GHz Radio
    2. 6.2  CPU
    3. 6.3  Operating Modes
    4. 6.4  Interrupt Vector Addresses
    5. 6.5  Memory Organization
    6. 6.6  Bootloader (BSL)
    7. 6.7  JTAG Operation
      1. 6.7.1 JTAG Standard Interface
      2. 6.7.2 Spy-Bi-Wire Interface
    8. 6.8  Flash Memory
    9. 6.9  RAM
    10. 6.10 Backup RAM
    11. 6.11 Peripherals
      1. 6.11.1  Oscillator and System Clock
      2. 6.11.2  Power-Management Module (PMM)
      3. 6.11.3  Digital I/O
      4. 6.11.4  Port Mapping Controller
      5. 6.11.5  System Module (SYS)
      6. 6.11.6  DMA Controller
      7. 6.11.7  Watchdog Timer (WDT_A)
      8. 6.11.8  CRC16
      9. 6.11.9  Hardware Multiplier
      10. 6.11.10 AES128 Accelerator
      11. 6.11.11 Universal Serial Communication Interface (USCI)
      12. 6.11.12 TA0
      13. 6.11.13 TA1
      14. 6.11.14 Real-Time Clock (RTC_D)
      15. 6.11.15 Voltage Reference (REF) (Including Output)
      16. 6.11.16 LCD_B (Only CC430F614x)
      17. 6.11.17 Comparator_B
      18. 6.11.18 ADC10_A (CC430F614x and CC430F514x Only)
      19. 6.11.19 Embedded Emulation Module (EEM) (S Version)
      20. 6.11.20 Peripheral File Map
    12. 6.12 Input/Output Diagrams
      1. 6.12.1  Port P1 (P1.0 to P1.4) Input/Output With Schmitt Trigger
      2. 6.12.2  Port P1 (P1.5 to P1.7) Input/Output With Schmitt Trigger
      3. 6.12.3  Port P2 (P2.0 to P2.7) Input/Output With Schmitt Trigger
      4. 6.12.4  Port P3 (P3.0 to P3.7) Input/Output With Schmitt Trigger
      5. 6.12.5  Port P4 (P4.0 to P4.7) Input/Output With Schmitt Trigger (CC430F614x Only)
      6. 6.12.6  Port P5 (P5.0 and P5.1) Input/Output With Schmitt Trigger
      7. 6.12.7  Port P5 (P5.2 to P5.4) Input/Output With Schmitt Trigger (CC430F614x Only)
      8. 6.12.8  Port P5 (P5.5 to P5.7) Input/Output With Schmitt Trigger (CC430F614x Only)
      9. 6.12.9  Port PJ (PJ.0) JTAG Pin TDO, Input/Output With Schmitt Trigger or Output
      10. 6.12.10 Port PJ (PJ.1 to PJ.3) JTAG Pins TMS, TCK, TDI/TCLK, Input/Output With Schmitt Trigger or Output
    13. 6.13 Device Descriptor Structure
  7. 7Applications, Implementation, and Layout
    1. 7.1 Application Circuits
  8. 8デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1  使い始めと次の手順
    2. 8.2  Device Nomenclature
    3. 8.3  ツールとソフトウェア
    4. 8.4  ドキュメントのサポート
    5. 8.5  関連リンク
    6. 8.6  Community Resources
    7. 8.7  商標
    8. 8.8  静電気放電に関する注意事項
    9. 8.9  Export Control Notice
    10. 8.10 Glossary
  9. 9メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.4 ドキュメントのサポート

以下のドキュメントでは、CC430F613x、CC430F612x、CC430F513xデバイスについて説明しています。これらのドキュメントのコピーは、www.ti.comで入手できます。

ドキュメント更新の通知を、シリコンの正誤表も含めて受け取るには、ti.comでお使いの製品のフォルダへ移動します(プロダクト・フォルダへのリンクについては、Section 8.5を参照してください)。右上の隅にある「通知を受け取る」ボタンをクリックします。これによって登録が行われ、変更された製品情報の概要を毎週受け取ることができます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

正誤表

ユーザー・ガイド

    『MSP430™フラッシュ・デバイス・ブートローダ(BSL)ユーザー・ガイド』

    MSP430ブートローダ(BSL)を使用すると、プロトタイプ作成フェーズ、最終的な量産、およびサービス中に、MSP430マイクロコントローラの組み込みメモリと通信を行うことができます。必要に応じて、プログラム可能メモリ(フラッシュ・メモリ)とデータ・メモリ(RAM)の両方を変更できます。このブートローダは、一部のデジタル・シグナル・プロセッサ(DSP)に見られる、外部メモリからDSPの内部メモリへプログラム・コード(およびデータ)を自動的にロードする、ブートストラップ・ローダ・プログラムとは異なることに注意してください。

    『JTAGインターフェイスによるMSP430のプログラミング』

    このドキュメントでは、JTAG通信ポートを使用してMSP430のフラッシュ・ベースおよびFRAMベースのマイクロコントローラ・ファミリのメモリ・モジュールを消去、プログラム、検証するために必要な機能について解説しています。さらに、すべてのMSP430デバイスで利用可能なJTAGアクセス・セキュリティ・ヒューズのプログラム方法についても解説しています。このドキュメントには、標準の4線式JTAGインターフェイスと2線式JTAGインターフェイスの両方を使用してデバイスにアクセスする方法が解説されています。2線式JTAGインターフェイスはSpy-Bi-Wire (SBW)とも呼ばれます。

    『MSP430ハードウェア・ツール ユーザー・ガイド』

    このマニュアルには、TI MSP-FET430フラッシュ・エミュレーション・ツール(FET)のハードウェアについて解説されています。このFETは、MSP430超低消費電力マイクロコントローラ用のプログラム開発ツールです。利用可能なインターフェイスとして、パラレル・ポート・インターフェイスとUSBインターフェイスの両方について解説されています。

アプリケーション・レポート

    『MSP430 32kHz水晶発振器』

    適切な水晶、正しい負荷回路、および適切な基板レイアウトの選択は、安定した水晶発振器のために重要です。このアプリケーション・レポートでは、水晶発振器の機能について要約し、MSP430の超低消費電力動作用の適切な水晶を選択するためのパラメータについて説明します。また、正しい基板レイアウトについてのヒントや例も紹介しています。このドキュメントには、量産時の安定した発振器の動作を保証するために行うことができる、発振器のテストについての詳細情報も記載されています。

    『MSP430 システム・レベルESDの考慮事項』

    シリコン・テクノロジがますます低電圧化し、コスト効率に優れ非常に消費電力の低いコンポーネントを設計する必要性が高まっていくにつれ、システム・レベルESDの要求はますます高くなりつつあります。このアプリケーション・レポートでは、基板設計者とOEMが堅牢なシステム・レベルのデザインを理解し設計できるよう、3種類の異なるESDトピックについて扱います。(1) コンポーネント・レベルESDテストとシステム・レベルESDテスト、その違い、コンポーネント・レベルESD評価ではシステム・レベルの耐性が保証されない理由。(2) 筺体、ケーブル、PCBレイアウト、オンボードのESD保護デバイスなど各レベルにおいてシステム・レベルのESD保護を行うための、一般的な設計ガイドライン。(3) System Efficient ESD Design (SEED)の概要、システム・レベルESD耐性を達成するオンボードおよびオンチップESD保護のコデザイン手法、サンプル・シミュレーションとテスト結果。現実世界でのシステム・レベルのESD保護設計の例のいくつかと、その結果についても解説します。

    『AN050 欧州の868MHz SRD帯域におけるCC1101の使用』

    CC1101は真に低コストで、高度に統合された、非常に柔軟なRFトランシーバです。CC1101は、315、433、868、915MHzのSRD/ISM帯域を使用する低消費電力のアプリケーションを主な用途として設計されています。このアプリケーション・ノートでは、EN 300 220の要件に準拠するために欧州の863～870MHz SRD周波数帯域でCC1101を使う方法について説明します。このアプリケーション・ノートは、CC1101と同じ無線を使用するCC1110、CC1111、CC430 SoCにも適用できます。

    『DN010 CC1101での近距離受信』

    このドキュメントでは、CC1100EおよびCC1101を近距離アプリケーションで使用する方法について解説します。これらのチップは、250kbpsにおける飽和限界がおよそ-15dBmであり、一部の近距離アプリケーションでは問題となる可能性があります。2つの解決策を提案しています。1つは2重送信方式で、もう1つは近距離受信中にレシーバのダイナミック・レンジをシフトする方法です。

    『DN013 CC1101での出力電力のプログラミング』

    CC1101のRF出力電力レベルは、PATABLEレジスタで設定します。このレジスタの設定は、各種高調波の電力レベルとデバイスの消費電流にも影響を及ぼします。したがって、最適なレジスタ設定を選択する際には、これらのパラメータを考慮する必要があります。このドキュメントでは、CC1101の完全なPA表が、標準出力電力、高調波、消費電流も含めて、25℃/電源電圧3.0Vの条件で、さまざまなレジスタ設定について示されています。

    『DN017 CC11xxの868/915MHz RFマッチング』

    このデザイン・ノートでは、RFマッチング、およびCC11xxを使用して製品を設計するときに重要な観点について簡単に説明します。CC11xxファミリはすべてRFフロント・エンドが同じであるため、デバイスとアンテナとの間で同じマッチング回路を使用できます。TIは、すべてのCC11xx製品についてリファレンス・デザインを提供しています。これらのリファレンス・デザインでは、デカップリング・コンデンサやマッチング回路内の部品に推奨される配置や値を示しています。