JAJSDL0A February   2017  – July 2017 CSD17318Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Characteristics
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル・データ
    1. 7.1 Q2パッケージの寸法
      1. 7.1.1 推奨されるPCBパターン
      2. 7.1.2 推奨されるステンシル・パターン
    2. 7.2 Q2のテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQK|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 5Vゲートの駆動に最適化
  • 低い容量と電荷
  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • 鉛不使用
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 2mm×2mmプラスチック・パッケージ

2 アプリケーション

  • ストレージ、タブレット、ハンドヘルド機器
  • 負荷スイッチ・アプリケーションに最適化
  • DC/DCコンバータ
  • バッテリおよび負荷管理アプリケーション

3 概要

この30V、12.6mΩ、2mm×2mm SON NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるよう設計され、5Vのゲート駆動アプリケーション向けに最適化されています。2mm×2mmのSONにより、このサイズのパッケージでは非常に優れた熱特性を実現しています。

上面図
CSD17318Q2 P0108-01_LPS235.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷(4.5V) 6.0 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 1.3 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 2.5V 20 mΩ
VGS = 4.5V 13.9
VGS = 8V 12.6
VGS(th) スレッショルド電圧 0.9 V

製品情報(1)

型番 数量 メディア パッケージ 出荷
CSD17318Q2 3000 7インチ・リール SON
2.00mm×2.00mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール
CSD17318Q2T 250
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±10 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 21.5 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C 25
連続ドレイン電流(1) 10
IDM パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) 68 A
PD 消費電力(1) 2.5 W
消費電力、TC = 25°C 16
TJ、
TSTG 		動作時の接合部、
保管温度		 –55～150 °C
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス、
ID = 12.4A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 7.7 mJ
  1. 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 55°C/W
  2. 最大RθJC = 7℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%

オン状態の抵抗とゲート-ソース間電圧との関係

CSD17318Q2 D007_SLPS647.gif

ゲート電荷

CSD17318Q2 D004_SLPS647_FP.gif