JAJSI93C May   2015  – December 2019 CSD17484F4

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 機械的寸法
    2. 7.2 推奨される最小PCBレイアウト
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • YJJ|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

概要

この 99mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFETは、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えて、占有面積を60%以上減らすことができます。

標準的な部品寸法
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製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷(4.5V) 920 pC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 75 pC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 1.8V 170 mΩ
VGS = 2.5V 125
VGS = 4.5V 107
VGS = 8.0V 99
VGS(th) スレッショルド電圧 0.85 V

製品情報(1)

デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷
CSD17484F4 3000 7インチ・リール Femto (0402)
1.00mm×0.60mm
LGA (Land Grid Array)
テープ・アンド・リール
CSD17484F4T 250
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
VGS ゲート-ソース間電圧 12 V
ID 連続ドレイン電流(1) 3.0 A
IDM パルス・ドレイン電流(1)(2) 18 A
IG 連続ゲート・クランプ電流 35 mA
パルス・ゲート・クランプ電流(2) 350
PD 消費電力 500 mW
V(ESD) 人体モデル(HBM) 4 kV
デバイス帯電モデル(CDM) 2
TJ
Tstg
動作時の接合部、
保管温度
–55~150 °C
EAS アバランシュ・エネルギー、単一パルス ID = 7.1A、
L = 0.1mH、RG = 25Ω
2.5 mJ
  1. 0.06in (1.52mm)厚のFR4 PCB上に構築された面積1in2 (6.45cm2)、2oz (0.071mm)厚のCuパッドで、標準RθJA = 85℃/Wの場合
  2. パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
上面図
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