JAJSD21 March   2017 CSD18510Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Bパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン
    4. 7.4 Q5Bのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ

2 アプリケーション

  • DC/DC変換
  • 2次側同期整流器
  • モータ制御

3 概要

この40V、0.79mΩ、SON 5mm×6mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションで損失を最小化するよう設計されています。

上面図
CSD18510Q5B P0093-01_LPS198.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
Qg ゲートの合計電荷(10V) 118 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 21 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 1.2 mΩ
VGS = 10V 0.79
VGS(th) スレッショルド電圧 1.7 V

製品情報(1)

デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷
CSD18510Q5B 2500 13インチ・リール SON
5.00mm×6.00mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール
CSD18510Q5BT 250 7インチ・リール
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 100 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C 300
連続ドレイン電流(1) 42
IDM パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) 400 A
PD 消費電力(1) 3.1 W
消費電力、TC = 25°C 156
TJ、
Tstg 		動作時の接合部温度、
保管温度		 –55～150 °C
EAS アバランシュ・エネルギー、単一パルス
ID = 81、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 328 mJ
  1. 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 40℃/Wです。
  2. 最大RθJC = 0.8℃/W、パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%。

RDS(on)とVGSとの関係

CSD18510Q5B D007_SLPS632.gif

ゲート電荷

CSD18510Q5B D004_SLPS632_FP.gif