JAJSCA7 July   2016 CSD19538Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q2パッケージの寸法
      1. 7.1.1 推奨のPCBパターン
      2. 7.1.2 推奨のステンシル・パターン
    2. 7.2 Q2のテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 非常に低いQgおよびQgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛不使用
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 2mm×2mmプラスチック・パッケージ

2 アプリケーション

  • PoE（Power Over Ethernet）
  • PSE（Power Sourcing Equipment）
  • モータ制御

3 概要

この100V、49mΩ、SON 2mm×2mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

上面図
CSD19538Q2 P0108-01_LPS235.gif

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製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 100 V
Qg 総ゲート電荷量(10V) 4.3 nC
Qgd ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 0.8 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 6V 58 mΩ
VGS = 10V 49 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 3.2 V

製品情報(1)

デバイス メディア 数量 パッケージ 出荷
CSD19538Q2 7インチ・リール 3000 SON
2.00mm×2.00mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール
CSD19538Q2T 7インチ・リール 250
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 100 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 14.4 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C 13.1
連続ドレイン電流(1) 4.6
IDM パルス・ドレイン電流(2) 34.4 A
PD 消費電力(1) 2.5 W
消費電力、TC = 25°C 20.2
TJ、
Tstg 		動作時の接合部温度、
保管温度		 –55～150 °C
EAS アバランシュ・エネルギー、単一パルス
ID = 12.6A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 8 mJ
  1. 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 50℃/Wです。
  2. 最大RθJC = 6.2℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%。

RDS(on)とVGSとの関係

CSD19538Q2 D007_SLPS583.gif

ゲート電荷

CSD19538Q2 D004_SLPS583_FP.gif