JAJSCA7 July 2016 CSD19538Q2
PRODUCTION DATA.
この100V、49mΩ、SON 2mm×2mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
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TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
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VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 100 | V | |
Qg | 総ゲート電荷量(10V) | 4.3 | nC | |
Qgd | ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 | 0.8 | nC | |
RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = 6V | 58 | mΩ |
VGS = 10V | 49 | mΩ | ||
VGS(th) | スレッショルド電圧 | 3.2 | V |
デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷 |
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CSD19538Q2 | 7インチ・リール | 3000 | SON 2.00mm×2.00mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
CSD19538Q2T | 7インチ・リール | 250 |
TA = 25°C | 値 | 単位 | |
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VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 100 | V |
VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±20 | V |
ID | 連続ドレイン電流(パッケージ制限) | 14.4 | A |
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C | 13.1 | ||
連続ドレイン電流(1) | 4.6 | ||
IDM | パルス・ドレイン電流(2) | 34.4 | A |
PD | 消費電力(1) | 2.5 | W |
消費電力、TC = 25°C | 20.2 | ||
TJ、 Tstg |
動作時の接合部温度、 保管温度 |
–55~150 | °C |
EAS | アバランシュ・エネルギー、単一パルス ID = 12.6A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
8 | mJ |