JAJSHB6B February   2015  – May 2019 CSD87501L

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
    2.     構成
      1.      Device Images
        1.       RS1S2(on) と VGS との関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 パッケージ寸法
    2. 7.2 推奨される PCB パターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YJG|10
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA のデュアル NexFET™パワー MOSFET は、小さな占有面積で抵抗およびゲート電荷を最小化するよう設計されています。サイズが小さく共通ドレインの構成なので、このデバイスはマルチセルのバッテリ・パック・アプリケーションや小型のハンドヘルド・デバイスに理想的です。

上面図

CSD87501L Front_Page_r2.gif

構成

CSD87501L Configuration.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VS1S2 ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷(4.5V) 15 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 6.0 nC
RS1S2(on) ソース間のオン抵抗 VGS = 4.5V 9.3 mΩ
VGS = 10V 6.6
VGS(th) スレッショルド電圧 1.8 V

製品情報(1)

デバイス メディア 数量 パッケージ 出荷
CSD87501L 7インチ・リール 3000 3.37mm × 1.47mm
ランド・グリッド・アレイ
・パッケージ		 テープ
および
リール
CSD87501LT 7インチ・リール 250
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 UNIT
VS1S2 ソース間電圧 30 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
IS 連続ソース電流(1) 14 A
ISM パルス・ソース電流(2) 72 A
PD 消費電力 2.5 W
V(ESD) 人体モデル(HBM) 2 kV
TJ、
Tstg 		動作時の接合部、
保管温度		 –55～150 °C
  1. 厚さ 0.06in の FR4 PCB 上に構築された面積 1in2、2 オンスの Cu パッド上で、標準値 RθJA = 50°C/W です。
  2. 標準的な最小 Cu RθJA = 135°C/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%。