JAJSHB6B February   2015  – May 2019 CSD87501L

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
    2.     構成
      1.      Device Images
        1.       RS1S2(on) と VGS との関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 パッケージ寸法
    2. 7.2 推奨される PCB パターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル・パターン

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • YJG|10
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.1 Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise stated
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVS1S2 Source-to-source voltage VGS = 0 V, IS = 250 μA 30 V
IS1S2 Source-to-source leakage current VGS = 0 V, VS1S2 = 24 V 1 μA
IGSS Gate-to-source leakage current VS1S2 = 0 V, VGS = 20 V 10 µA
VGS(th) Gate-to-source threshold voltage VS1S2 = VGS, IS = 250 μA 1.3 1.8 2.3 V
RS1S2(on) Source-to-source on-resistance VGS = 4.5 V, IS = 7 A 9.3 11.0 mΩ
VGS = 10 V, IS = 7 A 6.6 7.8
gfs Transconductance VS1S2 = 3 V, IS = 7 A 48 S
DYNAMIC CHARACTERISTICS(1)
Ciss Input capacitance VGS = 0 V, VS1S2 = 15 V, ƒ = 1 MHz 1620 2110 pF
Coss Output capacitance 189 246 pF
Crss Reverse transfer capacitance 152 198 pF
RG Series gate resistance 300 450 Ω
Qg Gate charge total (4.5 V) VS1S2 = 15 V, IS = 7 A 15 20 nC
Qg Gate charge total (10 V) 31 40 nC
Qgd Gate charge gate-to-drain 6.0 nC
Qgs Gate charge gate-to-source 5.0 nC
Qg(th) Gate charge at Vth 2.5 nC
Qoss Output charge VS1S2 = 15 V, VGS = 0 V 7.6 nC
td(on) Turn on delay time VS1S2 = 15 V, VGS = 10 V,
IS1S2 = 7 A, RG = 0 Ω		 164 ns
tr Rise time 260 ns
td(off) Turn off delay time 709 ns
tf Fall time 712 ns
(1) Dynamic characteristics values specified are per single FET.