JAJSKZ6A January   2021  – May 2022 INA228

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成と機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件 (I2C)
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 標準的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 特長の説明
      1. 7.3.1 多用途の高電圧測定機能
      2. 7.3.2 内部測定および計算エンジン
      3. 7.3.3 低いバイアス電流
      4. 7.3.4 高精度デルタ - シグマ ADC
        1. 7.3.4.1 低レイテンシのデジタル・フィルタ
        2. 7.3.4.2 フレキシブルな変換時間と平均化
      5. 7.3.5 シャント抵抗ドリフト補償
      6. 7.3.6 内蔵高精度発振器
      7. 7.3.7 マルチアラート監視とフォルト検出
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 シャットダウン・モード
      2. 7.4.2 パワーオン・リセット
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 I2C シリアル・インターフェイス
        1. 7.5.1.1 I2C シリアル・インターフェイスを使用した書き込みと読み取り
        2. 7.5.1.2 高速 I2C モード
        3. 7.5.1.3 SMBus のアラート応答
    6. 7.6 レジスタ・マップ
      1. 7.6.1 INA228 レジスタ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 デバイスの測定範囲と分解能
      2. 8.1.2 電流、電力、エネルギー、および充電の計算
      3. 8.1.3 ADC 出力のデータ・レートとノイズ性能
      4. 8.1.4 入力フィルタリングに関する検討事項
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 シャント抵抗の選択
        2. 8.2.2.2 デバイスの構成
        3. 8.2.2.3 シャント・キャリブレーション・レジスタのプログラム
        4. 8.2.2.4 目標のフォルト・スレッショルドの設定
        5. 8.2.2.5 戻り値の計算
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

TA = 25℃、VS = 3.3V、VSENSE = VIN+ - VIN- = 0V、VCM = VIN- = 48V (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力
VCM 同相入力範囲 TA = -40℃～+125℃ -0.3 85 V
VVBUS バス電圧入力範囲 0 85 V
CMRR 同相除去 -0.3V < VCM < 85V、TA = -40℃～+125℃ 154 170 dB
VDIFF シャント電圧入力範囲 TA = -40℃～+125℃、ADCRANGE = 0 -163.84 163.84 mV
TA = -40℃～+125℃、ADCRANGE = 1 -40.96 40.96 mV
Vos シャント・オフセット電圧 VCM = 48V、TCT > 280μs ±0.3 ±1 μV
VCM = 0V、TCT > 280μs ±0.3 ±1 μV
dVos/dT シャント・オフセット電圧ドリフト TA = -40℃～+125℃ ±2 ±10 nV/℃
PSRR シャント・オフセット電圧と電源との関係 VS = 2.7V～5.5V、TA = -40℃～+125℃ ±0.05 ±0.5 μV/V
Vos_bus VBUS オフセット電圧 VBUS = 20mV ±1 ±2.5 mV
dVos/dT VBUS オフセット電圧ドリフト TA = -40℃～+125℃ ±4 ±20 μV/℃
PSRR VBUS オフセット電圧と電源 VS = 2.7V～5.5V ±0.25 mV/V
IB 入力バイアス電流 IN+ または IN- のいずれかの入力、VCM = 85V 0.1 2.5 nA
ZVBUS VBUS ピンの入力インピーダンス アクティブ・モード 0.8 1 1.2 MΩ
IVBUS VBUS ピンのリーク電流 シャットダウン・モード、VBUS = 85V 10 nA
RDIFF 入力差動インピーダンス アクティブ・モード、VIN+ - VIN- < 164mV 92 kΩ
DC 精度
GSERR シャント電圧のゲイン誤差 VCM = 24V ±0.01 ±0.05 %
GS_DRFT シャント電圧のゲイン誤差ドリフト ±20 ppm/℃
GBERR VBUS 電圧のゲイン誤差 ±0.01 ±0.05 %
GB_DRFT VBUS 電圧のゲイン誤差ドリフト ±20 ppm/℃
PTME 電力の合計測定誤差 (TME) TA = -40℃～+125℃ (フルスケール) ±0.5 %
ETME エネルギーと充電の TME フルスケール電力 ±1 %
ADC の分解能 20 ビット
1LSB ステップ・サイズ シャント電圧、ADCRANGE = 0 312.5 nV
シャント電圧、ADCRANGE = 1 78.125 nV
バス電圧 195.3125 μV
温度 7.8125 m℃
TCT ADC 変換時間(1) 変換時間フィールド = 0h  50 μs
変換時間フィールド = 1h  84
変換時間フィールド = 2h  150
変換時間フィールド = 3h  280
変換時間フィールド = 4h  540
変換時間フィールド = 5h 1052
変換時間フィールド = 6h 2074
変換時間フィールド = 7h  4120
INL 積分非直線性誤差 ±2 m%
DNL 微分非直線性誤差 0.2 LSB
クロック・ソース
FOSC 内部発振器の周波数 1 MHz
FOSC_TOL 内部発振器の周波数公差 TA = 25℃ ±0.5 %
TA = -40℃～+125℃ ±1 %
温度センサ
測定範囲 -40 +125 ℃
温度精度 TA = 25℃ ±0.15 ±1 ℃
TA = -40℃～+125℃ ±0.2 ±2 ℃
電源
VS 電源電圧 2.7 5.5 V
IQ 静止時電流 VSENSE = 0V 640 750 μA
VSENSE = 0V、TA = -40℃～+125℃ 1.1 mA
IQSD 静止時電流、シャットダウン シャットダウン・モード 2.8 5 μA
TPOR デバイスの起動時間 パワーアップ (NPOR) 300 μs
シャットダウン・モードから 60
デジタル入出力
VIH ロジック入力レベル、High SDA、SCL 1.2 5.5 V
VIL ロジック入力レベル、Low GND 0.4 V
VOL ロジック出力レベル、Low IOL = 3mA GND 0.4 V
IIO_LEAK デジタル・リーク入力電流 0 ≦ VIN ≦ VS -1 1 μA
(1) 発振器の精度とドリフトの影響を受けます