JAJSCZ9C September   2016  – March 2019 INA302 , INA303

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
      1.      代表的なアプリケーション
  4. 改訂履歴
  5. 概要(続き)
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Bidirectional Current Sensing
      2. 8.3.2 Out-of-Range Detection
      3. 8.3.3 Alert Outputs
        1. 8.3.3.1 Setting Alert Thresholds
          1. 8.3.3.1.1 Resistor-Controlled Current Limit
            1. 8.3.3.1.1.1 Resistor-Controlled Current Limit: Example
          2. 8.3.3.1.2 Voltage-Source-Controlled Current Limit
        2. 8.3.3.2 Hysteresis
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Alert Operating Modes
        1. 8.4.1.1 Transparent Output Mode
        2. 8.4.1.2 Latch Output Mode
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Selecting a Current-Sensing Resistor (RSENSE)
        1. 9.1.1.1 Selecting a Current-Sensing Resistor: Example
      2. 9.1.2 Input Filtering
      3. 9.1.3 Using the INA30x With Common-Mode Transients Greater Than 36 V
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 関連リンク
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 コミュニティ・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

静電気放電に関する注意事項

esds-image

すべての集積回路は、適切なESD保護方法を用いて、取扱いと保存を行うようにして下さい。

静電気放電はわずかな性能の低下から完全なデバイスの故障に至るまで、様々な損傷を与えます。高精度の集積回路は、損傷に対して敏感であり、極めてわずかなパラメータの変化により、デバイスに規定された仕様に適合しなくなる場合があります。