JAJSCT8D March   2015  – March 2017 LMG5200

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 Propagation Delay and Mismatch Measurement
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Control Inputs
      2. 8.3.2 Start-up and UVLO
      3. 8.3.3 Bootstrap Supply Voltage Clamping
      4. 8.3.4 Level Shift
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 VCC Bypass Capacitor
        2. 9.2.2.2 Bootstrap Capacitor
        3. 9.2.2.3 Power Dissipation
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Examples
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイス・サポート
      1. 12.1.1 開発サポート
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 コミュニティ・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 13.1 パッケージ情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 15mΩ GaN FETおよびドライバを内蔵
  • 電圧定格: 連続80V、パルス100V
  • PCBレイアウトが簡単になるようパッケージを最適化、アンダーフィル、クリーページ、クリアランスの要件を撤廃
  • 共通ソース・インダクタンスが非常に低いため、ハード・スイッチングのトポロジで過剰なリンギングなしに高いスルー・レートのスイッチングを保証
  • 絶縁および非絶縁アプリケーションに最適
  • ゲート・ドライバは最高10MHzのスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FETオーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 非常に優れた伝搬遅延(標準値29.5ns)およびマッチング(標準値2ns)
  • 低消費電力

2 アプリケーション

  • 広いVINのマルチMHz同期整流降圧コンバータ
  • オーディオ用Class-Dアンプ
  • テレコム、産業、エンタープライズ・コンピューティング用の、48Vのポイント・オブ・ロード(POL)コンバータ
  • 電力密度の高い単相および三相モータ・ドライブ

3 概要

LMG5200デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。

GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、簡単にPCBへ取り付けできます。

TTLロジック互換の入力は、VCC電圧にかかわらず最高12Vの入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モードGaN FETのゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリートGaN FETに対して、より使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム・ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。LMG5200をTPS53632Gコントローラとともに使用すると、48Vからポイント・オブ・ロード電圧(0.5～1.5V)への直接変換が可能です。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ(公称)
LMG5200 QFM (9) 6.00mm×8.00mm
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

ブロック概略図

LMG5200 simp_app_fp_snoscy4.gif