JAJSFO5D June   2018  – September 2022 TMP117

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 2 線式インターフェイスのタイミング
    8. 6.8 タイミング図
    9. 6.9 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 電源オン
      2. 7.3.2 平均化
      3. 7.3.3 温度結果と限界
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 連続変換モード
      2. 7.4.2 シャットダウン・モード (SD)
      3. 7.4.3 ワンショット・モード (OS)
      4. 7.4.4 サーム・モードとアラート・モード
        1. 7.4.4.1 アラート・モード
        2. 7.4.4.2 サーム・モード
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 EEPROM のプログラミング
        1. 7.5.1.1 EEPROM の概要
        2. 7.5.1.2 EEPROM のプログラミング
      2. 7.5.2 ポインタ・レジスタ
      3. 7.5.3 I2C バスおよび SMBus インターフェイス
        1. 7.5.3.1 シリアル・インターフェイス
          1. 7.5.3.1.1 バスの概要
          2. 7.5.3.1.2 シリアル・バス・アドレス
          3. 7.5.3.1.3 読み取りと書き込みの動作
          4. 7.5.3.1.4 スレーブ・モードの動作
            1. 7.5.3.1.4.1 スレーブ・レシーバ・モード
            2. 7.5.3.1.4.2 スレーブ・トランスミッタ・モード
          5. 7.5.3.1.5 SMBus のアラート機能
          6. 7.5.3.1.6 ゼネラル・コール・リセット機能
          7. 7.5.3.1.7 タイムアウト機能
          8. 7.5.3.1.8 タイミング図
    6. 7.6 レジスタ・マップ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ノイズと平均化
        2. 8.2.2.2 自己発熱効果 (SHE)
        3. 8.2.2.3 同期温度測定
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DRV|6
  • YBG|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5.1.2 EEPROM のプログラミング

誤ったプログラミングを防止するため、EEPROM はデフォルトでロックされています。ロックされているとき、I2C によるレジスタ・マップ位置への書き込みは、EEPROM ではなく揮発性レジスタに対してのみ実行されます。

EEPROM のプログラミング・シーケンスを説明するフローチャートを、図 7-7 に示します。EEPROM をプログラムするには、まず EEPROM ロック解除レジスタの EUN ビットをセットして、EEPROM のロックを解除します。EEPROM のロックが解除され、それ以後に I2C からレジスタ・マップ位置への書き込みが行われると、EEPROM の対応する不揮発性メモリの位置がプログラムされます。単一の場所をプログラムするのに必要な時間は通常 7ms で、230μA を消費します。プログラムが完了するまで、I2C に書き込んではいけません。プログラム中には EEPROM_busy フラグがセットされます。このフラグを読み取って、プログラムが完了したかどうかを監視できます。目的のデータをプログラムした後で、ゼネラル・コール・リセット・コマンドを発行して、ソフトウェア・リセットをトリガします。その後で、リセット・シーケンスの一部として、プログラムされたデータが EEPROM から、対応するレジスタ・マップの場所にロードされます。また、このコマンドは EUN ビットをクリアし、EEPROM を自動的にロックして、誤ってそれ以後のプログラムが行われないようにします。EEPROM がロック解除されているとき、デバイスを使用して温度変換を行うのは避けてください。

GUID-0A7C5F8B-43FB-4D8F-84C5-E7D29293D56F-low.gif図 7-7 EEPROM のプログラミング・シーケンス