JAJSIQ6C June   2020  – February 2021 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
    1.     UCC21540-Q1 のピン機能
  7. 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電力定格
    6. 7.6  絶縁仕様
    7. 7.7  安全関連認証
    8. 7.8  安全限界値
    9. 7.9  電気的特性
    10. 7.10 スイッチング特性
    11. 7.11 絶縁特性曲線
    12. 7.12 代表的特性
  8. パラメータ測定情報
    1. 8.1 最小パルス
    2. 8.2 伝搬遅延とパルス幅歪み
    3. 8.3 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    4. 8.4 入力とディスエーブルの応答時間
    5. 8.5 プログラム可能なデッド・タイム
    6. 8.6 電源オン時の UVLO 出力遅延
    7. 8.7 CMTI テスト
  9. 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 9.3.2 入力および出力論理表
      3. 9.3.3 入力段
      4. 9.3.4 出力段
      5. 9.3.5 UCC21540-Q1 のダイオード構造
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 ディスエーブル・ピン
      2. 9.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 9.4.2.1 DT ピンを VCCI に接続
        2. 9.4.2.2 DT ピンと GND ピンの間に設定抵抗を接続
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 設計要件
      2. 10.2.2 詳細な設計手順
        1. 10.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 10.2.2.2 デッド・タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 10.2.2.3 外部ブートストラップ・ダイオードとその直列抵抗の選択
        4. 10.2.2.4 ゲート・ドライバの出力抵抗
        5. 10.2.2.5 ゲート - ソース間抵抗の選択
        6. 10.2.2.6 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        7. 10.2.2.7 接合部温度の推定
        8. 10.2.2.8 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 10.2.2.8.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 10.2.2.8.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 10.2.2.8.3 VDDB コンデンサの選択
        9. 10.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 10.2.3 アプリケーション曲線
  11. 11電源に関する推奨事項
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
      1. 12.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 12.1.2 接地に関する注意事項
      3. 12.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 12.1.4 熱に関する注意事項
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 サポート・リソース
    4. 13.4 商標
    5. 13.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 13.6 用語集
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

スイッチング特性

VVCCI = 3.3V または 5.5V、0.1µF のコンデンサを VCCI と GND の間に接続、VVDDA = VVDDB = 12V、1µF のコンデンサを VDDA/VDDB と VSSA/VSSB の間に接続、負荷容量 COUT = 0pF、TJ = –40℃~+150℃ (特に記述のない限り)(1)
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
tRISE出力立ち上がり時間 (図 8-4 を参照)CVDD = 10µF、COUT = 1.8nF、
VVDDA = VVDDB = 12V、f = 1kHz
516ns
tFALL出力立ち下がり時間 (図 8-4 を参照)CVDD = 10µF、COUT = 1.8nF、
VVDDA = VVDDB = 12V、f = 1kHz
612ns
tPWmin出力に到達する最小入力パルス幅
(図 8-1図 8-2 を参照)
入力信号が tPWmin より短い場合、出力は状態を変化させません。1020ns
tPDHL立ち下がりエッジでの伝搬遅延 (図 8-3 を参照)INx の HIGH スレッショルド (VINH) から出力の 10% まで2840ns
tPDLH立ち上がりエッジでの伝搬遅延 (図 8-3 を参照)INx の LOW スレッショルド (VINL) から出力の 90% まで2840ns
tPWDパルス幅歪み|tPDLHA – tPDHLA|、|tPDLHB– tPDHLB|
(図 8-3 を参照)
5.5ns
tDM伝播遅延のマッチング、
|tPDLHA – tPDLHB|、|tPDHLA – tPDHLB| (図 8-3 を参照)
f = 250kHz5ns
tVCCI+ to OUTVCCI 電源オン遅延時間:UVLO の立ち上がりから OUTA、OUTB まで
(図 8-7 を参照)
INA または INB を VCCI に接続4059µs
tVDD+ to OUTVDDA、VDDB の電源オン遅延時間:UVLO の立ち上がりから OUTA、OUTB まで
(図 8-8 を参照)
INA または INB を VCCI に接続2335
|CMH|HIGH レベルの同相過渡耐性 (Topic Link Label8.7 を参照)GND 対 VSSA/B のスルーレート、INA と INB の両方を VCCI に接続、VCM = 1000V100V/ns
|CML|LOW レベルの同相過渡耐性 (Topic Link Label8.7 を参照)GND 対 VSSA/B のスルーレート、INA と INB の両方を GND に接続、VCM = 1000V100
標準値のみが記載されたパラメータは、参照用にのみ提供しているものであり、TI が製品保証を目的として公表するデバイス仕様書の一部を構成するものではありません。