JAJSIQ6C June   2020  – February 2021 UCC21540-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
    1.     UCC21540-Q1 のピン機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電力定格
    6. 7.6  絶縁仕様
    7. 7.7  安全関連認証
    8. 7.8  安全限界値
    9. 7.9  電気的特性
    10. 7.10 スイッチング特性
    11. 7.11 絶縁特性曲線
    12. 7.12 代表的特性
  8. 8 パラメータ測定情報
    1. 8.1 最小パルス
    2. 8.2 伝搬遅延とパルス幅歪み
    3. 8.3 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    4. 8.4 入力とディスエーブルの応答時間
    5. 8.5 プログラム可能なデッド・タイム
    6. 8.6 電源オン時の UVLO 出力遅延
    7. 8.7 CMTI テスト
  9. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 9.3.2 入力および出力論理表
      3. 9.3.3 入力段
      4. 9.3.4 出力段
      5. 9.3.5 UCC21540-Q1 のダイオード構造
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 ディスエーブル・ピン
      2. 9.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 9.4.2.1 DT ピンを VCCI に接続
        2. 9.4.2.2 DT ピンと GND ピンの間に設定抵抗を接続
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 設計要件
      2. 10.2.2 詳細な設計手順
        1. 10.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
        2. 10.2.2.2 デッド・タイム抵抗およびコンデンサの選択
        3. 10.2.2.3 外部ブートストラップ・ダイオードとその直列抵抗の選択
        4. 10.2.2.4 ゲート・ドライバの出力抵抗
        5. 10.2.2.5 ゲート - ソース間抵抗の選択
        6. 10.2.2.6 ゲート・ドライバの電力損失の推定
        7. 10.2.2.7 接合部温度の推定
        8. 10.2.2.8 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
          1. 10.2.2.8.1 VCCI コンデンサの選択
          2. 10.2.2.8.2 VDDA (ブートストラップ) コンデンサの選択
          3. 10.2.2.8.3 VDDB コンデンサの選択
        9. 10.2.2.9 出力段の負バイアスを使う応用回路
      3. 10.2.3 アプリケーション曲線
  11. 11電源に関する推奨事項
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
      1. 12.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 12.1.2 接地に関する注意事項
      3. 12.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 12.1.4 熱に関する注意事項
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 サポート・リソース
    4. 13.4 商標
    5. 13.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 13.6 用語集
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

12.1.1 部品の配置に関する注意事項

  • 外付けパワー・トランジスタをターンオンさせる際の大きなピーク電流に対応するため、VCCI ピンと GND ピンの間と VDD ピンと VSS ピンの間に低 ESR かつ低 ESL のコンデンサを本デバイスに近接して接続する必要があります。
  • ブリッジ構成のスイッチ・ノード VSSA (HS) ピンでの大きな負の過渡を防止するため、上側トランジスタのソースと下側トランジスタのソースとの間の寄生インダクタンスを最小限に抑える必要があります。
  • 離れた場所にあるマイコンまたは高インピーダンス源で DIS ピンを駆動する際のノイズ耐性を向上させるため、DIS ピンと GND の間に小容量のバイパス・コンデンサ (1000pF 以上) を追加することを推奨します。
  • デッド・タイム機能を使う場合、内部デッド・タイム回路にノイズが意図せず結合することを防ぐため、設定抵抗 RDT とバイパス・コンデンサは UCC21540-Q1 の DT ピンに近接して配置することを推奨します。このバイパス・コンデンサは 2.2nF 以上とします。