DDR メモリ向け電源 IC

高密度、高効率、優れたコスト効率

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開発中システムの要件に対応できるように、TI は幅広い DDR ターミネータ製品ラインアップを提供しており、リニアとスイッチング両方のレギュレータをベースとした最適なソリューションからの選択が可能です。DDR の VDDQ と VTT を想定した各種電圧レギュレータ・デバイスは、低電圧リファレンスを内蔵しており、低い DDR コア電圧と終端出力電圧のレギュレーションを実行できます。標準的なリニア・レギュレータやスイッチング・レギュレータと比較すると、各種 DDR ターミネータは終端電流のシンク (吸い込み) またはソース (供給) 能力を強化しているほか、VDDQ/2 入力をトラッキングするための外部リファレンス入力機能を搭載しており、VTT 終端レールを生成することができます。

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Select featured DDR power regulators

TPS7H3302-SP
DDR メモリ向け電源 IC

耐放射線特性、QMLP、2.3V ~ 3.5V 入力、3A シンク / ソース (吸い込みと供給)、DDR 終端 LDO レギュレータ

TPS7H3302-SEP
DDR メモリ向け電源 IC

耐放射線特性、2.3V ~ 3.5V 入力、3A のシンク (吸い込み) / ソース (供給)、DDR 終端 LDO レギュレータ

技術リソース

アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
DDR アプリケーションにおける終端電圧 (VTT) の詳細をご確認ください。このアプリケーション・ノートは、パッシブとアクティブの各 VTT 終端の電力損失と電圧偏差を比較します。 
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技術記事
技術記事
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
DDR (ダブル・データ・レート) メモリを使用して、クロックの立ち上がりと立ち下がり両方のエッジで読み取りと書き込みを実行し、多くの電子システムで高速と高性能を実現する方法の詳細 (英語) をご覧ください。
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技術記事
技術記事
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
この技術資料 (英語) は、TI の新しい TPS54116-Q1 DDR メモリ電源ソリューションを例として使用し、2MHz で動作させようとする際の重要な検討事項を紹介します。
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設計と開発に役立つリソース

評価ボード
TPS51200 シンクとソース (吸い込みと供給) の両方に対応、DDR 終端レギュレータ

TPS51200EVM 評価ボード、言い換えると HPA322A は、TI のコスト最適化済み DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 向け VTT 終端レギュレータである TPS51200 の性能と特性を評価するための設計を採用しています。TPS51200 は、DDR メモリに適した終端電圧と 10mA のバッファ付き基準電圧を供給する設計であり、最小限の外付け部品で、DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) の各仕様に対応できます。

評価ボード
VTTREF バッファ付きリファレンス搭載、2A ピーク シンク / ソース (吸い込みと供給) DDR 終端レギュレータ

TPS51206EVM-745 評価基板 (EVM) は、TPS51206 を採用しています。TPS51206 は、シンク / ソース (吸い込みと供給) に対応する DDR (ダブル データ レート) 終端レギュレータであり、VTTREF バッファ付きリファレンス出力を搭載しています。低入力電圧、低コスト、少ない外付け部品点数、スペース節減重視のシステムに適した特化型設計です。TPS51206EVM-745 は、DDR メモリに適した終端電圧と 10mA のバッファ付きリファレンス電圧を供給する設計を採用しています。対応するメモリと電圧の仕様は、DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (...)

評価ボード
TPS54116-Q1 車載 DDR 電源ソリューションの評価モジュール

この評価基板は、TPS54116-Q1 レギュレータを使用して設計するときに実現することができる小型プリント基板 (PCB) を提示する目的で設計済みです。外部デバイダを使用して、調整可能な出力電圧を実現しています。TPS54116-Q1 DC/DC コンバータは、DDR メモリ終端の目的で、1A のソース (供給) またはシンク (吸い込み) を実現する LDO を内蔵して、最大 4A の出力を供給する設計を採用した同期整流降圧コンバータです。

DDR メモリ向け電源 IC 関連の各種リファレンス・デザイン

セレクションツールを使用すると、お客様のアプリケーションやパラメータに最適なリファレンス・デザインをご覧いただけます。