DDR メモリ用の電源ソリューション
高密度、高効率、高コスト効率
実際のシステム要件に対応するため、TI は幅広い DDR ターミネータ製品ラインアップを提供しており、リニア・レギュレータとスイッチング・レギュレータをベースとした最適なソリューションの選択が可能です。DDR の VDDQ と VTT を想定した各種電圧レギュレータ・デバイスは、低電圧リファレンスを内蔵しており、低い DDR コア電圧と終端出力電圧のレギュレーションを実行できます。標準的なリニア・レギュレータやスイッチング・レギュレータと比較すると、DDR 終端用の LDO とレギュレータは終端電流のシンク / ソース能力を強化しているほか、VDDQ/2 入力をトラッキングするための外部リファレンス入力機能を搭載しており、Vtt 終端レールを生成することができます。
TI の DDR 向け VTT LDO は、TI 独自の超高帯域追跡型アンプを活用して DDR の読み取り/書き込み負荷過渡に応答し、出力静電容量を最小化しています。DDR 終端デバイスには多くの世代が存在していますが、DDR 向け電源ソリューション・デバイスを選択する際の重要な仕様は、DDR の VDDQ と VTT 出力電圧です。
DDR4 とそれ以降の世代の DDR では、公称 2.5V の VPP レールが追加されており、この電圧のレギュレーションも実行する必要があります。TI の DDR 電源ソリューションは、JEDEC 仕様に対応しています。
| DDR の世代 | VDDQ | VTT |
|---|---|---|
| DDR | 2.5V | 1.25V |
| DDR2 | 1.8V | .9V |
| DDR3 | 1.5V | 0.75V |
| DDR4 | 1.2V | 0.6V |
| LPDDR2 | 1.2V | 0.6V |
| LPDDR3 | 1.2V | 0.6V |
| DDR3L | 1.35V | 0.675V |
| LPDDR4 | 1.1V | 0.55V |