GaN (窒化ガリウム) IC

あらゆる電力レベルに対応する TI の GaN パワー・デバイス製品ラインアップで、電力密度と効率を最大化

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複数のゲート・ドライバを内蔵した GaN (窒化ガリウム) FET と各種 GaN パワー・デバイスで構成された TI のファミリは、寿命、信頼性、およびコストに関する利点を実現する非常に効率的な GaN ソリューションに役立ちます。GaN トランジスタのスイッチング速度は、シリコン MOSFET より明らかに高速なので、スイッチング損失を低減できる可能性が高くなります。TI の GaN IC は、通信、サーバー、モーター・ドライブ、ノート PC のアダプタ、電気自動車 (EV) 向けのオンボード・チャージャなど、幅広いアプリケーションで使用できます。

GaN IC の検索

LMG3422R050 新製品

ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET

概算価格 (USD) 1ku | 7.94
LMG3425R050 新製品

ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET

概算価格 (USD) 1ku | 10.476
LMG3425R030 新製品

ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET

概算価格 (USD) 1ku | 11.844
LMG3422R030 新製品

ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET

概算価格 (USD) 1ku | 10.764

TI の GaN 技術の利点

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ディスクリート GaN FET より高速なスイッチング速度

ドライバを内蔵した TI の各種 GaN FET は、150V/ns のスイッチング速度 (スルーレート) を実現できます。これらのスイッチング速度と低インダクタンスのパッケージを組み合わせると、損失の低減、クリーンな (ノイズの少ない) スイッチング、リンギングの最小化を実現できます。

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磁気素子の小型化、電力密度の向上

TI の各種 GaN デバイスを採用すると、スイッチング速度 (スルーレート) を高め、500kHz 超過のスイッチング周波数を実現することができます。その結果、磁気素子の最大 60% 小型化、性能の向上、システム・コストの削減が可能になります。

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信頼性を重視して製作済み

TI の各種 GaN デバイスは、独自の GaN on Si (ノーマリー・オフかつ安価なシリコン・ウェハー上に GaN 回路を形成するので、高額なサファイア・ウェハーが不要) プロセスを通じ、高電圧システムの安全性を維持できる設計を採用しており、信頼性試験で 4,000 万時間を上回る長さを達成しているほか、複数の保護機能も搭載しています。

GaN の利点

GaN 技術について

シリコンのみをベースとする従来のソリューションに比べて、GaN は、より高い電力密度、より信頼性の高い動作、効率の向上を実現しています。TI の技術ページをご覧になると、パワー・トランジスタ技術としての GaN の詳細習得、主な GaN アプリケーションの確認、TI の顧客からの意見の参照、TI の GaN を活用して次期電源設計の重量、サイズ、コストを最小化する方法の把握を進めることができます。

技術リソース

アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
Ice Build Up Detection Using TI’s Capacitive Sensing Technology
TI のいくつかの GaN デバイスは独自機能として理想ダイオード・モードを採用しています。このモードを活用して、デッドタイム損失を最小化する方法をご確認ください。
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ホワイト・ペーパー
ホワイト・ペーパー
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
TI の dMode (デプリーション・モード) GaN デバイス・ファミリは、カスコードなしでノーマリー・オフ動作を実現できます。ダイレクト・ドライブ・アーキテクチャとその利点を解説しています。
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アプリケーション・ノート
アプリケーション・ノート
Third quadrant operation of GaN
GaN の第 3 象限動作の詳細や、デッドタイム損失を最小化するために必要な情報を解説しています。
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設計と開発に役立つリソース

Reference design
GaN ベース、11kW、双方向、3 相 ANPC (アクティブ中性点クランプ型) のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、GaN (窒化ガリウム) をベースとする 3 レベルの 3 相 ANPC (アクティブ中性点クランプ型) インバータ電力段を実装するための設計テンプレートを提示します。高速スイッチング・パワー・デバイスを使用すると、100kHz を上回る高周波数でパワー・デバイスのスイッチングを実施できます。この場合、フィルタで使用する磁気素子のサイズを小型化し、電力段の電力密度を高めることができます。マルチレベル・トポロジ採用により、600V 定格のパワー・デバイスを、最大 1,000V というそれより高い DC (...)

Reference design
C2000 と GaN を使用する 4kW 単相トーテムポール PFC のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、F280049/F280025 制御カードと LMG342x EVM ボードを備えた、4kW CCM トーテムポール PFC です。この設計は、堅牢な PFC ソリューションをデモンストレーションします。コントローラを MOSFET レッグの中間に接地することで、絶縁型電流センスを回避することができます。非絶縁型のため、高速アンプ OPA607によって AC 電流センスを実装でき、信頼できる過電流保護を実現します。この設計では、効率性、熱画像、AC ドロップ、雷サージ、EMI CE (...)
Reference design
GaN ベース、6.6kW、双方向 オンボード・チャージャのリファレンス・デザイン
PMP22650 リファレンス・デザインは、6.6kW の双方向オンボード・チャージャを提示します。このデザインは、同期整流機能付きの 2 相トーテムポール PFC とフル・ブリッジ CLLLC コンバータを搭載しています。CLLLC は周波数変調と位相変調の両方を活用し、必須のレギュレーション範囲全体で出力のレギュレーションを実施します。このデザインは TMS320F28388D マイコンの内部にある単一のプロセッシング・コアを使用して、PFC と CLLLC の両方を制御します。同期整流機能は、同じマイコンに Rogowski (...)

GaN (窒化ガリウム) IC 関連の各種リファレンス・デザイン

セレクションツールを使用すると、お客様のアプリケーションやパラメータに最適なリファレンス・デザインをご覧いただけます。