SiC（シリコン・カーバイド）のパワーを活用しましょう
次期設計では、ぜひエネルギー効率が高く、堅牢でコンパクトなシステムの実現に最適な SiC（シリコン・カーバイド）または IGBT ゲート・ドライバを選択してください
高効率
SiC / IGBT ゲート・ドライバの高い駆動電流、高い CMTI、短い伝搬遅延により、設計効率を高めることができます。
高度な保護機能
高速な短絡保護機能を内蔵し、高いサージ耐性を備える TI のゲート・ドライバにより、堅牢な絶縁型システムを実現できます。
コンパクトなソリューション
高速かつ堅牢で信頼性の高いドライバを使用して、より高い PWM 周波数で SiC をスイッチングすることで、システム・サイズ、重量、コストを低減できます。
主な製品
UCC21710-Q1
UCC21710-Q1 は、高 CMTI と高度な保護機能を搭載する、SiC / IGBT に対応したシングル・チャネルの絶縁ゲート・ドライバです。
UCC21750
UCC21750 は、脱飽和を使用した高 CMTI と高度な保護機能を搭載する、SiC / IGBT に対応したシングル・チャネルの絶縁ゲート・ドライバです。
UCC21530-Q1
イネーブル機能搭載、車載、4A、6A、5.7kVRMS 絶縁型デュアルチャネル・ゲート・ドライバ
主な評価モジュールとリファレンス・デザイン
主な設計リソース
IGBT および SiC ゲート・ドライバの基礎
IGBT および SiC ゲート・ドライバに関する最も一般的な質問のいくつかのソリューションをご確認ください。この e-book（PDF）は各トピックを詳細に説明していますが、右側を参照し、実際の設計に最も関連性の高いトピックに進むこともできます。
必要なセクションをすぐにご確認になれます。
Silicon carbide gate drivers – a disruptive technology in power electronics（英語）
SiC（シリコン・カーバイド）は、適切なエコシステム、この場合はゲート・ドライバがなければ、その潜在能力を最大限に発揮することができません。この革新的技術とパワー・エレクトロニクスへの影響をお読みください。
Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs（英語）
SiC MOSFET のさまざまな出力短絡保護方法の概要と比較をご覧ください。
Enabling high voltage signal isolation quality and reliability（英語）
堅牢で信頼性の高いソリューションを提供する、業界トップクラスのテクノロジーの容量性絶縁について、詳細をご確認ください。
注目のビデオ
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