電力密度
電力の需要が大きくなるにしたがって、ボードの面積と高さが制約要因になります。電源設計者の皆様は、開発中のアプリケーションにさらに多くの回路を搭載し、自社製品の差異化を進めるとともに、効率の向上と、放熱特性の改善を図る必要があります。TI の先進的なプロセス、パッケージング、回路設計テクノロジーを活用すると、より小型のフォーム・ファクタで、より高い電力レベルを扱えるようになります。
電力密度に関連する TI の各種技術の利点
発熱の低減
シリコンと窒化ガリウム (GaN) を使用する TI の高度なテクノロジーを活用し、デバイスの優れたスイッチング性能を実現します。
改善された放熱性能
拡張型 HotRod ™ QFN パッケージ、電力用途 WCSP (ウェハー・チップ・スケール・パッケージ)、上部冷却などの高度な冷却テクノロジーを使用して、パッケージから熱を放出します。
効率の向上
マルチレベルのコンバータ・トポロジーや、高度な電力段ゲート・ドライバで、スイッチング周波数の引き上げと受動部品の小型化を組み合わせ、効率を犠牲にせずに小型化を推進します。
システムのフットプリントの節減
高度なマルチチップ・モジュール・テクノロジーを使用し、基板面積の節減、基板レイアウトの簡素化、寄生成分の低減を実現します。
電力密度に関する基礎テクノロジーの理解 (「CC」アイコンのクリックで日本語字幕が選択可能)
このトレーニング・シリーズをご覧ください。この中で、電力密度の高いソリューションが重視する 4 つの側面について検討しているほか、それらの具体的な要件に対応する、TI の適切な技術と各種製品を紹介し、高い電力密度を実現する方法の概要を解説しています。
電力密度に関連する主な製品
電力密度に関連する主なリファレンス・デザイン
GaN ベース、6.6kW、双方向 オンボード・チャージャのリファレンス・デザイン
2 ～ 4 個のセル・バッテリ向け、統合型 USB Type-C® パワー・デリバリ (PD) と充電のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、外部 FET をまったく必要とせずに最大 20V、5A の充電に対応し、ソリューション・サイズのかなりの小型化と BOM (部品表) コスト全体の削減に貢献します。また、TPS25750 パワー・デリバリ (PD) コントローラは、BQ25792 バッテリ・チャージャ IC との I2C 通信を取り扱うことができるので、マイクロプロセッサも不要です。この I2C 対応能力と、TPS25750 の Web ベース GUI は、ファームウェア開発プロセスの大幅な簡素化に貢献します。
1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM トーテム・ポール・ブリッジレス PFC およびハーフ・ブリッジ LLC のリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、サーバー電源 (PSU) とテレコム整流器の各アプリケーションに適した、デジタル制御の小型 1kW AC/DC 電源のデザインです。 この高効率のデザインは、フロントエンドの連続導通モード (CCM) トーテム・ポール・ブリッジレス力率補正 (PFC) 段を含め、2 個のメイン電力段をサポートしています。この PFC 段は LMG341x GaN FET と統合型のドライバを採用しており、広い負荷範囲にわたって効率を改善しているほか、80 Plus Titanium の要件を満たしています。また、このデザインはハーフ・ブリッジ LLC 絶縁型 (...)