ガルバニック絶縁に対応するテクノロジー
ガルバニック絶縁は 2 つの領域を電気的に分離し、安全性を保ったまま、バリア経由で電力または信号を伝送できるようにする手法です。同時に、グランドの潜在的な電位差の発生を防止し、ノイズ耐性を改善します。静電容量性 SiO2 絶縁バリアや、IC 内部のトランスをベースとする磁気絶縁など、TI 独自の絶縁技術は、VDA (ドイツ自動車産業協会)、CSA (カナダ規格協会)、UL (Underwriters Laboratory) の各規格を上回る性能の実現に役立ちます。
TI の絶縁技術の利点
システムの堅牢性と信頼性の向上
TI の高電圧絶縁型製品ラインアップは、低レイテンシ、優れた同相過渡耐性、信頼性の高い性能を実現します。
システム・コストの低減
TI の絶縁技術を採用すると、部品表 (BOM) の低減、システム・コストの削減、ソリューション・サイズの大幅な縮小を実現できます。
スケーラビリティ
TI の革新的なパッケージングと世界各地にある自社所有の製造施設は、より多くのアナログ IC の機能で、機能絶縁、基本絶縁、強化絶縁の能力を実現するのに役立ちます。
設計による違い
絶縁技術は生活の中の様々なイノベーションに影響していることは明らかですが、TI はさらに改善の余地があると考えています。絶縁型設計で信頼性と価格の優位を維持するために何を進化させる必要があるのか、こちらのビデオをご確認ください。
四半世紀近くにわたって革新を継続的に推進
主な絶縁製品
絶縁関連の主なリファレンス・デザイン
AC ソリッド・ステート・リレーのリファレンス・デザイン、過電流および過熱保護
このリファレンス・デザインは、半導体リレーに関連する過電流保護と過熱保護の実現方法を提示します。このリファレンス・デザインは、5kVRMS 強化絶縁型スイッチ・ドライバである TPSI3050-Q1 を採用しています。TPSI3050-Q1 デバイスは、絶縁を実現すると同時に信号と電力を 2 次側に伝送するラミネート・トランスを内蔵しています。その結果、絶縁型バイアス電源が不要になります。加えて、TPSI3050-Q1 デバイスは、高電圧 (HV) 側にある外部回路に電力を供給できます。このリファレンス・デザインは、最大 4A の負荷条件で、最大 500VDC または 350VAC (...)