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AMC1333M10

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10MHz の内部クロックと CMOS インターフェイス搭載、±1V 入力、強化絶縁型変調器

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製品詳細

Device type Voltage sensing Peak-to-peak input voltage range (V) 1V Interface type Serial CMOS Sample rate (max) (Msps) 10 Rating Catalog CMTI (min) (kV/µs) 100 Number of input channels 1 Architecture Delta-Sigma Operating temperature range (°C) -40 to 125 Power consumption (typ) (mW) 32.34 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8 Creepage (min) (mm) 8.5 Clearance (min) (mm) 8.5
Device type Voltage sensing Peak-to-peak input voltage range (V) 1V Interface type Serial CMOS Sample rate (max) (Msps) 10 Rating Catalog CMTI (min) (kV/µs) 100 Number of input channels 1 Architecture Delta-Sigma Operating temperature range (°C) -40 to 125 Power consumption (typ) (mW) 32.34 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8 Creepage (min) (mm) 8.5 Clearance (min) (mm) 8.5
SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • リニア入力電圧範囲：±1V
  • 高い入力インピーダンス：2.4GΩ (標準値)
  • 小さな DC 誤差：
    • オフセット誤差：±0.5mV (最大値)
    • オフセット・ドリフト：±4µV/℃ (最大値)
    • ゲイン誤差：±0.2% (最大値)
    • ゲイン・ドリフト：±40ppm/℃ (最大値)
  • 高 CMTI：100kV/µs (最小値)
  • 10MHz クロック・ジェネレータを内蔵
  • ハイサイド電源喪失の検出
  • 低 EMI：CISPR-11 および CISPR-25 規格に準拠
  • 安全関連の認定：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁耐圧：8000VPEAK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：5700VRMS (1 分間)
  • 拡張産業用温度範囲にわたって仕様を完全に規定–40℃～+125℃
  • リニア入力電圧範囲：±1V
  • 高い入力インピーダンス：2.4GΩ (標準値)
  • 小さな DC 誤差：
    • オフセット誤差：±0.5mV (最大値)
    • オフセット・ドリフト：±4µV/℃ (最大値)
    • ゲイン誤差：±0.2% (最大値)
    • ゲイン・ドリフト：±40ppm/℃ (最大値)
  • 高 CMTI：100kV/µs (最小値)
  • 10MHz クロック・ジェネレータを内蔵
  • ハイサイド電源喪失の検出
  • 低 EMI：CISPR-11 および CISPR-25 規格に準拠
  • 安全関連の認定：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁耐圧：8000VPEAK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：5700VRMS (1 分間)
  • 拡張産業用温度範囲にわたって仕様を完全に規定–40℃～+125℃

AMC1333M10 は高精度のデルタ・シグマ (ΔΣ) 変調器で、磁気干渉に対して高い耐性のある絶縁バリアにより、入力と出力の回路が分離されています。このバリアは、DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) および UL1577 規格に従って最大 8000VPEAK の強化絶縁を達成していることが認証され、最大 1.5kVRMS の使用電圧に対応しています。この絶縁バリアは、異なる同相電圧レベルで動作するシステム領域を分離し、電気的損傷を生じさせる可能性がある電圧またはオペレータに害を及ぼす可能性がある電圧から低電圧側を保護します。

±1V の広いバイポーラ入力電圧範囲と高い入力抵抗を特長とする AMC1333M10 は、高電圧アプリケーションでデバイスを分圧抵抗に直接接続できます。 AMC1333M10 の出力ビットストリームは、内部で生成されるクロックと同期します。内蔵デジタル・フィルタ (TMS320F2807x や TMS320F2837x マイクロコントローラ・ファミリで使用されているものなど) を使用してビットストリームを間引くと、39kSPS のデータ速度、87dB のダイナミック・レンジで、16 ビットの分解能が得られます。

AMC1333M10 は 8 ピンのワイド・ボディ SOIC パッケージで提供され、–40℃～+125℃の拡張産業用温度範囲で完全に動作が規定されています。

AMC1333M10 は高精度のデルタ・シグマ (ΔΣ) 変調器で、磁気干渉に対して高い耐性のある絶縁バリアにより、入力と出力の回路が分離されています。このバリアは、DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) および UL1577 規格に従って最大 8000VPEAK の強化絶縁を達成していることが認証され、最大 1.5kVRMS の使用電圧に対応しています。この絶縁バリアは、異なる同相電圧レベルで動作するシステム領域を分離し、電気的損傷を生じさせる可能性がある電圧またはオペレータに害を及ぼす可能性がある電圧から低電圧側を保護します。

±1V の広いバイポーラ入力電圧範囲と高い入力抵抗を特長とする AMC1333M10 は、高電圧アプリケーションでデバイスを分圧抵抗に直接接続できます。 AMC1333M10 の出力ビットストリームは、内部で生成されるクロックと同期します。内蔵デジタル・フィルタ (TMS320F2807x や TMS320F2837x マイクロコントローラ・ファミリで使用されているものなど) を使用してビットストリームを間引くと、39kSPS のデータ速度、87dB のダイナミック・レンジで、16 ビットの分解能が得られます。

AMC1333M10 は 8 ピンのワイド・ボディ SOIC パッケージで提供され、–40℃～+125℃の拡張産業用温度範囲で完全に動作が規定されています。
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技術資料

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* データシート AMC1333M10 高精度、±1V 入力、10MHz 内部クロック搭載、強化絶縁型デルタ・シグマ変調器 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 5月 24日
アプリケーション概要 Shunt Resistor Selection for Isolated Data Converters PDF | HTML 2023年 5月 4日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

AMC1333M10EVM — AMC1333M10 ±1V 入力、高精度、強化絶縁型変調器の評価基板

AMC1333M10 評価基板 (EVM) は AMC1333M10 を評価するためのプラットフォームです。この製品は ±1V の入力範囲と 8,000VPK のサージ絶縁電圧に対応する高精度の強化絶縁型変調器です。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DWV) 8 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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