ホーム パワー・マネージメント Power stages Gallium nitride (GaN) power stages
ホーム
パワー・マネージメント
Power stages
Gallium nitride (GaN) power stages

LMG3422R030

アクティブ

ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET

ご注文はこちら
データシート

LMG3422R030

アクティブ
データシート ご注文はこちら

製品詳細

VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 30
VDS (max) (mV) 600000 RDS(on) (mΩ) 30
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • CMTI：200V/ns
    • 2.2MHz のスイッチング周波数
    • 30V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3425R030)
  • ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
  • ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • CMTI：200V/ns
    • 2.2MHz のスイッチング周波数
    • 30V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
    • 理想ダイオード・モードによる第 3 象限での損失の低減 ( LMG3425R030)

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG342xR030 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG342xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と TI の低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。 LMG3425R030 は理想ダイオード・モードを備えているため、アダプティブ・デッドタイム制御が可能で、第 3 象限の損失を低減します。

高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG342xR030 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG342xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と TI の低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。 LMG3425R030 は理想ダイオード・モードを備えているため、アダプティブ・デッドタイム制御が可能で、第 3 象限の損失を低減します。

高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。
open-in-new その他の Gallium nitride (GaN) power stages を検索
ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
LMG3422R050 アクティブ ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET Same functionality with different on-resistance
比較対象デバイスと類似の機能
LMG3522R030 アクティブ ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET Same functionality with top-side cooling

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
14 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG342xR030 ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、600V、30mΩ の GaN FET データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2022年 5月 11日
技術記事 EV オンボード チャージャ向けの CLLLC と DAB の比較 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 3月 25日
技術記事 EV 온보드 충전기용 CLLLC와 DAB 비교 PDF | HTML 2024年 3月 22日
技術記事 EV 車載充電器 CLLLC vs. DAB PDF | HTML 2024年 3月 20日
技術記事 Managing thermals: 3 ways to break through power-density barriers PDF | HTML 2022年 10月 16日
技術記事 Meeting the power demands of evolving robot system architectures PDF | HTML 2021年 10月 13日
ホワイト・ペーパー Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 2021年 6月 2日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
ホワイト・ペーパー Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 2021年 1月 5日
アプリケーション・ノート Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A) PDF | HTML 2020年 11月 19日
技術記事 How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next gene PDF | HTML 2020年 11月 17日
その他の技術資料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 2020年 9月 22日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x ファミリ向け、LMG342x GaN システム・レベル評価マザーボード

LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

(...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
ドーター・カード

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

LMG3422EVM-043 は、2 個の LMG3422R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、すべての必要な補助ペリフェラル回路を組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

LMG3422R030 PSpice Model

SNOM767.ZIP (270 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

LMG3422R030 Unencrypted PSpice Model Package

SNOM704.ZIP (12 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
ダウンロード
CAD/CAE シンボル

LMG3422R030 Step File

SNOR031.ZIP (410 KB)
ダウンロード
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 輸出許可が必要 (1 分)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
GaN (窒化ガリウム) IC
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載対応、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ・パワー・ステージ
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
lock ダウンロード
計算ツール

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
ダウンロード
計算ツール

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
Gallium nitride (GaN) power stages
LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
ダウンロード
リファレンス・デザイン

PMP23338 — 3.6kW single-phase totem-pole bridgeless PFC reference design with e-meter functionality

This reference design is a Gallium nitride (GaN) based, 3.6kW, single-phase continuous conduction mode (CCM) totem-pole bridgeless power factor correction (PFC) converter, targeting M-CRPS power supply. This design includes e-meter functionality with 0.5% accuracy, eliminating the need for (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010265 — C2000™ マイコンと MSPM0 を搭載した 750W モーター インバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、洗濯機や類似の機器向けの 750W モーター ドライブであり、磁束、角度、速度、トルク (FAST) のオブザーバ であるソフトウェア エンコーダ、または拡張スライディング モード オブザーバ (eSMO) を使用して、3 相永久磁石同期モーター (PMSM) 向けのセンサレス FOC (フィールド オリエンテッド コントロール：磁界方向制御) を実装する方法を示します。モジュール型の設計を採用したこのリファレンス デザインは、同じマザーボード上で C2000™ マイコン (MCU) と MSPM0 マイコン (...)
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010255 — ロボットとサーボ ドライブ向け、230VAC、2kW、3 相、GaN インバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、6 個の高速スイッチング GaN FET を使用し、ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、高効率、320VDC 入力、3 相電力段を提示します。また、高温側のマイコン制御機能も搭載しており、特にモーター内蔵サーボ ドライブやロボット アプリケーションに適しています。絶縁型デルタ シグマ変調器を使用して、高精度の相電流センシングを実現します。非絶縁型で小型フォーム ファクタのデルタ シグマ変調器を使用して DC リンク電圧を測定するほか、アナログ位相電圧フィードバック オプションを搭載しているため、InstaSPIN-FOC™ (...)
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010210 — GaN ベース、11kW、双方向、3 相 ANPC (アクティブ中性点クランプ型) のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、GaN (窒化ガリウム) をベースとする 3 レベルの 3 相 ANPC (アクティブ中性点クランプ型) インバータ電力段を実装するための設計テンプレートを提示します。高速スイッチング・パワー・デバイスを使用すると、100kHz を上回る高周波数でパワー・デバイスのスイッチングを実施できます。この場合、フィルタで使用する磁気素子のサイズを小型化し、電力段の電力密度を高めることができます。マルチレベル・トポロジ採用により、600V 定格のパワー・デバイスを、最大 1,000V というそれより高い DC (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010203 — C2000 と GaN を使用する 4kW 単相トーテムポール PFC のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、F280049/F280025 制御カードと LMG342x EVM ボードを備えた、4kW CCM トーテムポール PFC です。この設計は、堅牢な PFC ソリューションをデモンストレーションします。コントローラを MOSFET レッグの中間に接地することで、絶縁型電流センスを回避することができます。非絶縁型のため、高速アンプ OPA607によって AC 電流センスを実装でき、信頼できる過電流保護を実現します。この設計では、効率性、熱画像、AC ドロップ、雷サージ、EMI CE (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RQZ) 54 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ