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SN54SLC8T245-SEP

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耐放射線特性、8 ビット、0.65V ～ 3.3V、方向制御型レベル シフタ

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SN54SLC8T245-SEP

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製品詳細

Technology family SLC Applications RGMII Bits (#) 8 High input voltage (min) (V) 0.4555 High input voltage (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 0.65 Vout (max) (V) 3.6 Data rate (max) (Mbps) 380 IOH (max) (mA) -12 IOL (max) (mA) 12 Supply current (max) (µA) 70 Features Output enable, Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, Balanced CMOS, Push-Pull Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family SLC Applications RGMII Bits (#) 8 High input voltage (min) (V) 0.4555 High input voltage (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 0.65 Vout (max) (V) 3.6 Data rate (max) (Mbps) 380 IOH (max) (mA) -12 IOL (max) (mA) 12 Supply current (max) (µA) 70 Features Output enable, Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, Balanced CMOS, Push-Pull Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
TSSOP (PW) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4

  • VID V62/22604

  • 耐放射線特性：
    • 125℃において 43MeV-cm2/mg のシングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT (Radiation Lot Acceptance Test)
  • 認定済みの完全に構成可能なデュアル・レール設計により、各ポートは 0.65V～3.6V の範囲の電源電圧で動作可能
  • 動作温度範囲：–55℃～+125℃
  • 複数の方向制御ピンにより、昇圧と降圧の変換を同時に実行
  • 1.8V から 3.3V への変換時に最高 380Mbps をサポート
  • 電源オフ時に 2 つのバスを実質的に絶縁する VCC 絶縁機能
  • 部分的パワーダウン・モードにより、電源オフ時に電流の逆流を制限
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 8000V
    • デバイス帯電モデルで 1000V

  • VID V62/22604

  • 耐放射線特性：
    • 125℃において 43MeV-cm2/mg のシングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT (Radiation Lot Acceptance Test)
  • 認定済みの完全に構成可能なデュアル・レール設計により、各ポートは 0.65V～3.6V の範囲の電源電圧で動作可能
  • 動作温度範囲：–55℃～+125℃
  • 複数の方向制御ピンにより、昇圧と降圧の変換を同時に実行
  • 1.8V から 3.3V への変換時に最高 380Mbps をサポート
  • 電源オフ時に 2 つのバスを実質的に絶縁する VCC 絶縁機能
  • 部分的パワーダウン・モードにより、電源オフ時に電流の逆流を制限
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 8000V
    • デバイス帯電モデルで 1000V

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、8 ビットの非反転バス・トランシーバで、最新の電圧ノード (0.7V、0.8V、0.9V) で動作しているデバイスと、業界標準の電圧ノード (1.8V、2.5V、3.3V) で動作しているデバイスとの間で、電圧レベル不一致の問題を双方向に解決できます。

このデバイスは、2 つの独立した電源レール (VCCA および VCCB) を使用し、最低 0.65V で動作します。データ・ピン A1 から A8 までは VCCA に追従するように設計されており、0.65V～3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。データ・ピン B1 から B8 までは VCCB に追従するように設計されており、0.65V～3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。

SN54SLC8T245-SEP は、データ・バス間の非同期通信用に設計されています。このデバイスは、方向制御入力 (DIR1 および DIR2) のロジック・レベルに応じて、A バスから B バスへ、または B バスから A バスへデータを転送します。出力イネーブル (OE) 入力を使用すると、出力をディスエーブルにして、バスを実質的に絶縁できます。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、制御ピン (DIR および OE) が VCCA を基準とするよう設計されています。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

VCC 絶縁機能により、いずれかの VCC 入力電圧が 100mV 未満になると、すべてのレベル シフタ出力がディセーブルされ、高インピーダンス状態になるように設計されています。

電源投入または電源オフの間にレベル シフタ I/O を高インピーダンス状態にするには、OE をプルアップ抵抗を介して VCC に接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決まります。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、8 ビットの非反転バス・トランシーバで、最新の電圧ノード (0.7V、0.8V、0.9V) で動作しているデバイスと、業界標準の電圧ノード (1.8V、2.5V、3.3V) で動作しているデバイスとの間で、電圧レベル不一致の問題を双方向に解決できます。

このデバイスは、2 つの独立した電源レール (VCCA および VCCB) を使用し、最低 0.65V で動作します。データ・ピン A1 から A8 までは VCCA に追従するように設計されており、0.65V～3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。データ・ピン B1 から B8 までは VCCB に追従するように設計されており、0.65V～3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。

SN54SLC8T245-SEP は、データ・バス間の非同期通信用に設計されています。このデバイスは、方向制御入力 (DIR1 および DIR2) のロジック・レベルに応じて、A バスから B バスへ、または B バスから A バスへデータを転送します。出力イネーブル (OE) 入力を使用すると、出力をディスエーブルにして、バスを実質的に絶縁できます。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、制御ピン (DIR および OE) が VCCA を基準とするよう設計されています。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

VCC 絶縁機能により、いずれかの VCC 入力電圧が 100mV 未満になると、すべてのレベル シフタ出力がディセーブルされ、高インピーダンス状態になるように設計されています。

電源投入または電源オフの間にレベル シフタ I/O を高インピーダンス状態にするには、OE をプルアップ抵抗を介して VCC に接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決まります。
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技術資料

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* データシート SN54SLC8T245-SEP 8 ビット、デュアル電源バス・トランシーバ、構成可能な電圧変換およびトライステート出力搭載 データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 12月 13日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2022年 10月 20日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Single Event Effects Report PDF | HTML 2022年 10月 12日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Total Ionizing Dose (TID) PDF | HTML 2022年 10月 3日

設計と開発

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評価ボード

AVCLVCDIRCNTRL-EVM — AVC と LVC をサポートする方向制御型双方向変換デバイス向け汎用評価モジュール（EVM）

The generic EVM is designed to support one, two, four and eight channel LVC and AVC direction-controlled translation devices. It also supports the bus hold and automotive -Q1 devices in the same number of channels. The AVC are low voltage translation devices with lower drive strength of 12mA. LVC (...)

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

ALPHA-3P-ADM-VA600-SPACE-AMD — AMD Versal コア XQRVC1902 ACAP と TI の耐放射線特性製品を採用した Alpha Data の ADM-VA600 キット

これは 6U の VPX フォーム・ファクタで、AMD-Xilinx® Versal AI Core XQRVC1902 適応型 SoC/FPGA を提示します。ADM-VA600 は、1 個の FMC+ コネクタ、DDR4 DRAM、システム監視機能を搭載したモジュール型ボードのデザインです。主な部品は、耐放射線特性のパワー・マネージメント、インターフェイス、クロック処理機能、組込みプロセッシング (-SEP) の各デバイスです。

最低価格：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
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シミュレーション・モデル

SN54SLC8T245-SEP IBIS Model (Rev. B)

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TSSOP (PW) 24 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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