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TPS7H1210-SEP

アクティブ

宇宙用強化プラスチック封止、耐放射線特性、-3V ~ -16.5V 入力、1A、負電圧リニア・レギュレータ

製品詳細

Output options Adjustable Output, Negative Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) -3 Vin (min) (V) -16.5 Vout (max) (V) -1.2 Vout (min) (V) -15.5 Noise (µVrms) 13.7 Iq (typ) (mA) 0.21 Thermal resistance θJA (°C/W) 32.7 Rating Space Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Soft start Accuracy (%) 2 PSRR at 100 KHz (dB) 61 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 363 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 30
Output options Adjustable Output, Negative Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) -3 Vin (min) (V) -16.5 Vout (max) (V) -1.2 Vout (min) (V) -15.5 Noise (µVrms) 13.7 Iq (typ) (mA) 0.21 Thermal resistance θJA (°C/W) 32.7 Rating Space Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Soft start Accuracy (%) 2 PSRR at 100 KHz (dB) 61 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 363 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 43 Radiation, TID (typ) (krad) 30
VQFN (RGW) 20 25 mm² 5 x 5
  • VID (Vendor Item Drawing) V62/21616 が利用可能
  • 総照射線量 (TID) 耐性 = 30krad (Si)
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの TID RLAT (放射線ロット受け入れテスト)
  • シングルイベント効果 (SEE) の特性
    • シングルイベント・ラッチアップ (SEL)、シングルイベント・バーンアウト (SEB)、シングルイベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg
    • シングルイベント機能割り込み (SEFI) およびシングルイベント過渡 (SET) の LET に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg
  • 低ノイズ:13.7µVRMS (標準値、10Hz~100kHz)
  • 高い電源除去比、PSRR (VIN = -6V、VOUT = -5V、IOUT = 1A での標準値):
    • 100Hz 時に 61dB
    • 100kHz 時に 61dB
    • 1MHz 時に 41dB
  • 入力電圧範囲:-3V~-16.5V
  • 調整可能な出力:-1.2V~-15.5V
  • 最大 1A の出力電流
  • 10µF 以上のセラミック出力コンデンサで安定動作
  • 電流制限とサーマル・シャットダウン保護機能を内蔵
  • 宇宙向け強化プラスチック (SEP)
    • 管理されたベースライン
    • 金ボンド・ワイヤ
    • NiPdAu リード仕上げ
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 軍用温度範囲:-55℃~125℃
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間 (PCN) の延長
    • 製品のトレーサビリティ
    • モールド・コンパウンドの改良による低いガス放出
  • VID (Vendor Item Drawing) V62/21616 が利用可能
  • 総照射線量 (TID) 耐性 = 30krad (Si)
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの TID RLAT (放射線ロット受け入れテスト)
  • シングルイベント効果 (SEE) の特性
    • シングルイベント・ラッチアップ (SEL)、シングルイベント・バーンアウト (SEB)、シングルイベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、線エネルギー付与 (LET) に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg
    • シングルイベント機能割り込み (SEFI) およびシングルイベント過渡 (SET) の LET に対する耐性 = 43MeV-cm2/mg
  • 低ノイズ:13.7µVRMS (標準値、10Hz~100kHz)
  • 高い電源除去比、PSRR (VIN = -6V、VOUT = -5V、IOUT = 1A での標準値):
    • 100Hz 時に 61dB
    • 100kHz 時に 61dB
    • 1MHz 時に 41dB
  • 入力電圧範囲:-3V~-16.5V
  • 調整可能な出力:-1.2V~-15.5V
  • 最大 1A の出力電流
  • 10µF 以上のセラミック出力コンデンサで安定動作
  • 電流制限とサーマル・シャットダウン保護機能を内蔵
  • 宇宙向け強化プラスチック (SEP)
    • 管理されたベースライン
    • 金ボンド・ワイヤ
    • NiPdAu リード仕上げ
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 軍用温度範囲:-55℃~125℃
    • 長い製品ライフ・サイクル
    • 製品変更通知期間 (PCN) の延長
    • 製品のトレーサビリティ
    • モールド・コンパウンドの改良による低いガス放出

TPS7H1210-SEP 負電圧リニア・レギュレータは、1A の最大負荷を供給できる低ノイズ、高 PSRR のレギュレータです。

このレギュレータには、CMOS ロジックレベル互換のイネーブル・ピン (EN) が搭載されており、ユーザーがカスタマイズ可能なパワー・マネージメント方式を実現できます。その他の機能として、電流制限機能とサーマル・シャットダウン機能が内蔵されており、障害状態時にデバイスとシステムが保護されます。

TPS7H1210-SEP デバイスは、システム性能を最大限に高めるためにクリーンな電源レールが決定的に重要な、高精度、低ノイズのアプリケーションを主な対象として、バイポーラ・テクノロジで設計されています。したがって、オペアンプ、ADC、DAC、その他の高性能アナログ回路への電力供給に理想的です。

そのほか、TPS7H1210-SEP デバイスは、DC/DC コンバータのポスト・レギュレーションに適しています。DC/DC スイッチング変換に本質的に付随する出力電圧リップルをフィルタ処理し、影響を受けやすいデバイスや RF アプリケーションにおいて、最大のシステム性能が保証されます。

TPS7H1210-SEP 負電圧リニア・レギュレータは、1A の最大負荷を供給できる低ノイズ、高 PSRR のレギュレータです。

このレギュレータには、CMOS ロジックレベル互換のイネーブル・ピン (EN) が搭載されており、ユーザーがカスタマイズ可能なパワー・マネージメント方式を実現できます。その他の機能として、電流制限機能とサーマル・シャットダウン機能が内蔵されており、障害状態時にデバイスとシステムが保護されます。

TPS7H1210-SEP デバイスは、システム性能を最大限に高めるためにクリーンな電源レールが決定的に重要な、高精度、低ノイズのアプリケーションを主な対象として、バイポーラ・テクノロジで設計されています。したがって、オペアンプ、ADC、DAC、その他の高性能アナログ回路への電力供給に理想的です。

そのほか、TPS7H1210-SEP デバイスは、DC/DC コンバータのポスト・レギュレーションに適しています。DC/DC スイッチング変換に本質的に付随する出力電圧リップルをフィルタ処理し、影響を受けやすいデバイスや RF アプリケーションにおいて、最大のシステム性能が保証されます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H1210-SEP -16.5V、1A、負リニア・レギュレータ、宇宙用強化プラスチック データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 3月 26日
* VID TPS7H1210-SEP VID V62-21616 2022年 1月 4日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP Single-Event Effects (SEE) Test Report 2021年 12月 13日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization 2021年 11月 24日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP Total Ionizing Dose (TID) 2021年 11月 24日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H1210-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2021年 11月 8日
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ホワイト・ペーパー Parallel LDO Architecture Design Using Ballast Resistors PDF | HTML 2022年 12月 14日
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アプリケーション・ノート Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022年 9月 15日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. I) 2022年 3月 3日
ユーザー・ガイド TPS7H1210EVM User's Guide PDF | HTML 2021年 11月 22日
証明書 TPS7H1210EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2021年 10月 4日
e-Book(PDF) Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H1210EVM — TPS7H1210-SEP -3V~-16.5V 入力、1A の負電圧リニア・レギュレータ用の評価基板

TPS7H1210 評価基板 (EVM) は、宇宙用強化型、低ドロップアウト (LDO)、負電圧リニア・レギュレータである TPS7H1210 -SEP を評価するためのエンジニアリング・デモ・ボードです。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TPS7H1210-SEP PSpice Transient Model

SBVM985.ZIP (23 KB) - PSpice Model
パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN (RGW) 20 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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