データシート
TPSM63603E
- 多用途な同期整流降圧 DC/DC モジュール
- MOSFET、インダクタ、コントローラを内蔵
- 広い入力電圧範囲：3V～36V
- 出力電圧を調整可能、1V～ 16V
- 4mm × 6mm × 1.8mm の オーバーモールド・パッケージ
- 接合部温度範囲： -55℃～125℃
- RT ピンまたは外部 SYNC 信号を使用して 200kHz～2.2MHz の範囲で周波数を調整可能
- 負電圧出力に対応可能
- 全負荷範囲にわたって極めて高い効率を実現
- 93% のピーク効率 (12VIN、5VOUT、1MHz)
- 外部バイアス・オプションによる効率向上
- シャットダウン時静止電流：0.6µA (標準値)
- 非常に小さい伝導および放射 EMI シグネチャ
- デュアル入力パスと内蔵コンデンサを備えた低ノイズ・パッケージにより、スイッチのリンギングが減少
- スペクトラム拡散変調
- 抵抗により調整可能なスイッチ・ノードのスルーレート
- 固定周波数 FPWM 動作モード
- CISPR 11 および 32 Class B の放射規格に準拠
- スケーラブルな電源に好適
- TPSM63602 (36V、2A) とピン互換
- 堅牢な設計のための本質的な保護機能
- 高精度のイネーブル入力とオープン・ドレインの PGOOD インジケータによるシーケンシング、制御、VIN UVLO
- 過電流およびサーマル・シャットダウン保護
- WEBENCH Power Designerにより、 TPSM63603E を使用するカスタム設計を作成
TPSM63603E 同期整流降圧パワー・モジュールは、パワー MOSFET、シールド付きインダクタ、受動部品を Enhanced HotRod™ QFN パッケージに実装した、高集積 36V、 3A DC/DC ソリューションです。このモジュールは、VIN と VOUT のピンをパッケージの角に配置し、入力および出力コンデンサのレイアウト配置を最適化しています。モジュールの下面には大きな 4 つのサーマル・パッドがあるため、単純なレイアウトが可能で、製造時の扱いも容易です。
出力電圧が 1V～ 16V であるため、 TPSM63603E は小さい PCB フットプリントで低 EMI の設計を迅速かつ容易に実装できるようになっています。このトータル・ソリューションを使用すると、外付け部品はわずか 4 個で済み、設計プロセスで磁気および補償のための部品選択も不要です。
TPSM63603E モジュールは、スペースが制約される用途での小型化と簡素化をめざして設計されているだけでなく、堅牢性の高い性能を実現するためのさまざまな機能を備えています。その例としては、可変入力電圧 UVLO 用のヒステリシス付き高精度イネーブル、 抵抗を使ってプログラム可能なスイッチ・ノードのスルー・レートおよび拡散スペクトラム・オプションによる EMI 改善、内蔵 VCC ブートストラップおよび入力コンデンサによる信頼性向上と高密度化、 全負荷電流範囲にわたって一定のスイッチング周波数、シーケンシング、障害保護、出力電圧監視用の PGOOD インジケータがあります。
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設計と開発
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評価ボード
TPSM63603EVM — TPSM63603 3V ～ 36V 入力、1V ～ 16V、3A 出力、パワー・モジュールの評価基板
TPSM63603EVM 評価基板は、TPSM63603 パワー・モジュールの動作を評価する構成を採用しています。 入力電圧の範囲は、3V ～ 36V です。出力電圧の範囲は、1V ～ 16V です。この評価ボードを使用すると、TPSM63603 の動作を簡単に評価できます。
TPSM63603SEVM 評価基板 (EVM) は、TPSM63603S スペクトラム拡散パワー モジュールの動作を評価する構成を採用しています。
TPSM63603SEVM 評価基板 (EVM) は、TPSM63603S スペクトラム拡散パワー モジュールの動作を評価する構成を採用しています。
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| B0QFN (RDH) | 30 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点