CSD13383F4
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、44mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD13383F4
- 低オン抵抗
- 非常に低い Qg および Qgd
- 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
- 1.0mm × 0.6mm
- 薄型
- 0.36mm 高
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 > 2kV
- CDM 定格 > 2kV
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 37mΩ、12V N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。
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技術資料
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10 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | CSD13383F4 12V N チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2022年 4月 12日 |
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その他の技術資料 | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||||
EVM ユーザー ガイド (英語) | Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 2017年 12月 6日 | ||||
設計ガイド | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
設計と開発
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リファレンス・デザイン
TIDA-00299 — EtherCAT スレーブとマルチプロトコル産業用イーサネットのリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、EMC 耐性が高いコスト最適化済みの EtherCAT スレーブ (デュアル・ポート) を実装しているほか、アプリケーション・プロセッサ向けの SPI インターフェイスを搭載しています。このハードウェア設計は、AMIC110 産業用通信プロセッサを使用しており、マルチプロトコルの産業用イーサネットとフィールド・バスをサポートすることができます。このデザインは、5V 単一電源電圧で動作します。1 個の PMIC を使用して、必要なオンボード・レールをすべて生成します。EtherCAT スレーブ・スタックは、AMIC110 (...)
パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
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PICOSTAR (YJC) | 3 | オプションの表示 |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。