30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection
製品の詳細
パラメータ
特長
- 低オン抵抗
- 非常に低いQgおよびQgd
- 低いスレッショルド電圧
- 非常に小さな外形(0402ケース・サイズ)
- 1.0mm×0.6mm
- 超薄型プロファイル
- 高さ0.2mm
- ESD保護ダイオード搭載
- HBM定格4kV超
- CDM定格2kV超
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS準拠
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概要
この 99mΩ、30V N チャネル FemtoFET™ MOSFETは、多くのハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えて、占有面積を60%以上減らすことができます。
技術資料
= TI が選択したこの製品の主要ドキュメント
| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD17484F4 30V N チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) | 英語版をダウンロード (Rev.C) | 2020年 4月 9日 |
| 技術記事 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 7日 | ||
| ユーザー・ガイド | Design Summary FemtoFET SMT (Rev. D) | 2016年 7月 7日 | ||
| 技術記事 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||
| 技術記事 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||
| 技術記事 | A power MOSFET that boldly goes where no one has gone before | 2015年 9月 24日 |
設計と開発
追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。ソフトウェア開発
SLPC019.ZIP (338 KB)
設計ツールとシミュレーション
SLPM153A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
SLPM186.TSC (2233 KB) - TINA-TI Reference Design
SLPM187.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特長
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
特長
- TI の各種 MOSFET の電力損失を計算します
CAD/CAE シンボル
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| (YJJ) | 3 | オプションの表示 |
購入と品質
含まれる情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating/ リフローピーク温度
- MTBF/FIT の推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
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