CSD18504Q5A

アクティブ

40V、N チャネル NexFET MOSFET™、シングル SON 5 x 6、6.6mΩ

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製品の詳細

パラメータ

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 9.8 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.6 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 275 QG typ (nC) 16 QGD typ (nC) 2.4 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 75 ID, package limited (A) 50 Logic level Yes open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

特長

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Logic Level
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
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概要

This 5.3 mΩ, SON 5 × 6 mm, 40 V NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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機能およびピン配置は同じだが、同等ではない比較製品
CSD18514Q5A アクティブ 40V、N チャネル NexFET MOSFET™、シングル SON 5 x 6、4.9mΩ This product has lower resistance and a lower price.

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート CSD18504Q5A 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート 2014年 9月 9日
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アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価ボード ダウンロード
149
概要
The bq40z80 EVM includes one bq40z80, two bq771807 secondary protectors, and a link to Microsoft Windows based PC software, which can be used to monitor and predict capacity, perform cell balancing, monitor critical parameters, protect the cells from overcharge, over-discharge, short circuit, and (...)
特長
  • 2s-7s battery gauging with protection
  • Supports internal and external cell balancing
  • Multiple GPIOs and LED support
  • Protection features include:
    • Oover and under voltage
    • Short circuit in charge and discharge
    • Charge and pre-charge timeout
    • Over and under temperaure
評価ボード ダウンロード
2499
概要
16-Cell EV/HEV High Current Active Balance Solution, using the latest automotive battery management monitor and protector, the bq76PL455A-Q1. It provides high-performance battery management solution for large capacity battery packs, by combining the high integration and accuracy of the bq76PL455A-Q1 (...)
特長
  • Highly accurate monitoring of 16 li-ion cells
  • Integrated protector
  • 3 - 5A active balance
  • Fully isolated transfer to external 12V supply/battery
  • 1-Mb/s stackable isolated differential-UART

ソフトウェア開発

サポート・ソフトウェア ダウンロード
SLPC019.ZIP (338 KB)
サポート・ソフトウェア ダウンロード
SPLC001A.ZIP (311 KB)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLPM042A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLPM088.TSM (16 KB) - TINA-TI Spice Model
計算ツール ダウンロード
降圧コンバータ NexFET™ セレクション・ツール
FETPWRCALC — このツールは、同期整流降圧設計に適した、テキサス・インスツルメンツのディスクリート・パワー MOSFET とパワー・ブロック・デバイスを選択するエンジニアを支援する目的で製作されています。ユーザーは、使用する電源に関する複数の条件を入力し、電力損失、1,000 個購入時の相対価格設定、ソリューションのフットプリント、他の関連パラメータに基づいてさまざまなディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションを比較し、設計で使用する FET 選択プロセスを効果的に合理化することができます。
特長
  • 電源の各種条件を変更し、一連の入力パラメータに対して最も効率的な TI のソリューションを確認
  • TI のコントローラで構成された事前編成済みのリストからいずれかを選択するか、独自のカスタム IC を入力
  • 実効電力損失に基づいて複数のソリューションにランクを付け、1,000 個購入時の相対価格設定、デバイスのパッケージ、合計 PCB フットプリントで比較
  • 高精度の 2次寄生損失による寄与も含め、ディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションの間で電力損失を比較
  • 指定したソリューションに対して、負荷電流と電力損失の関係をプロット
  • ユーザー入力の MOSFET パラメータに基づいて降圧コンバータ・アプリケーションの電力損失と効率を計算するには、ダウンロード可能な TI の Excel ベース power loss tool(英語)を利用
計算ツール ダウンロード
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特長
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
計算ツール ダウンロード
SLPC015.ZIP (66 KB)
計算ツール ダウンロード
SPLR001.ZIP (824 KB)

リファレンス・デザイン

多くのTIリファレンス・デザインには、 CSD18504Q5A が含まれています。 TIのリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用して、お客様のアプリケーションとパラメータに最適な設計を確認し、特定してください。

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
(DQJ) 8 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

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トレーニング・シリーズ

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