60V、N チャネル NexFET MOSFET™、シングル SON 5 x 6、9.8mΩ
製品の詳細
パラメータ
特長
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Logic Level
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5 mm × 6 mm Plastic Package
概要
This 7.8 mΩ, 60 V, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
技術資料
= TI が選択したこの製品の主要ドキュメント
| 種類 | タイトル | 英語版のダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD18534Q5A 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET データシート | 2015年 6月 16日 | |
| 技術記事 | Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs | 2019年 2月 7日 | ||
| セレクション・ガイド | 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) | 英語版をダウンロード (Rev.R) | 2018年 9月 13日 | |
| アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment | 2018年 8月 24日 | ||
| 技術記事 | When to use load switches in place of discrete MOSFETs | 2016年 2月 3日 | ||
| 技術記事 | 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly | 2015年 10月 8日 | ||
| ユーザー・ガイド | Using the UCC28730EVM-552 | 2015年 2月 6日 | ||
| 技術記事 | Making Ideas Real. 3D Printer Technology From TI! | 2015年 1月 16日 | ||
| アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011年 11月 16日 |
設計と開発
追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。ハードウェア開発
BQ77915EVM-014
概要
BQ77915EVM-014 評価基板 (EVM) は、3S ～ 5S (3 ～ 5 個の直列) のリチウムイオン・セル向けの低消費電力プロテクタである BQ77915 向けの包括的な評価システムです。この評価基板は 1 個の BQ77915 と複数の FET を搭載しており、1 個のリチウムイオン・バッテリ・パック内での電流の切り替え用途で一般的な構成を使用して電流を制御することができます。この回路基板は、1 個の BQ77915 IC、1 個のセンス抵抗、1 個のサーミスタ、2 個の FET、さらに充電電流と放電電流の切り替えに必要な他のすべてのオンボード部品を搭載しています。
この回路モジュールは、バッテリの電力供給源とパックの負荷の間に接続します。この基板に印加する電流と電圧に加えて、さまざまな充電条件や放電条件の下で FET 制御を観察する目的で、ユーザーはオンボードのジャンパをいくつか取り外すことで過熱や低温の条件をシミュレートすることができます。この基板上ではセル・バランシング機能も実行できます。
特長
- V/I/T (電圧、電流、温度) の包括的な保護機能を搭載した、3S ～ 5S (5 個の直列) のリチウムイオン・プロテクタ
- 低消費電力 (通常モードでは 8μA の代表値、ハイバネーション・モードでは 2μA の代表値)
- 自律型のスマート・セル・バランシング機能
- 電流制御を実証するための複数の FET
- この回路設計はテスト済みで、Getting Started guide (英語) が付属
ソフトウェア開発
SLPC019.ZIP (338 KB)
SPLC001A.ZIP (311 KB)
設計ツールとシミュレーション
SLPM058B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
SLPM223.ZIP (12 KB) - TINA-TI Spice Model
FETPWRCALC — このツールは、同期整流降圧設計に適した、テキサス・インスツルメンツのディスクリート・パワー MOSFET とパワー・ブロック・デバイスを選択するエンジニアを支援する目的で製作されています。ユーザーは、使用する電源に関する複数の条件を入力し、電力損失、1,000 個購入時の相対価格設定、ソリューションのフットプリント、他の関連パラメータに基づいてさまざまなディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションを比較し、設計で使用する FET 選択プロセスを効果的に合理化することができます。
特長
- 電源の各種条件を変更し、一連の入力パラメータに対して最も効率的な TI のソリューションを確認
- TI のコントローラで構成された事前編成済みのリストからいずれかを選択するか、独自のカスタム IC を入力
- 実効電力損失に基づいて複数のソリューションにランクを付け、1,000 個購入時の相対価格設定、デバイスのパッケージ、合計 PCB フットプリントで比較
- 高精度の 2次寄生損失による寄与も含め、ディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションの間で電力損失を比較
- 指定したソリューションに対して、負荷電流と電力損失の関係をプロット
- ユーザー入力の MOSFET パラメータに基づいて降圧コンバータ・アプリケーションの電力損失と効率を計算するには、ダウンロード可能な TI の Excel ベース power loss tool（英語）を利用
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特長
- Calculates power loss for TI MOSFETs
SLPC015.ZIP (66 KB)
SPLR001.ZIP (824 KB)
リファレンス・デザイン
CAD/CAE シンボル
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| (DQJ) | 8 | オプションの表示 |
購入と品質
含まれる情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating/ リフローピーク温度
- MTBF/FIT の推定値
- 原材料組成
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
おすすめの製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価モジュール、またはリファレンス・デザインが含まれている場合があります。