トップ

製品の詳細

パラメータ

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 75 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 65 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 21 QG typ (nC) 11 QGD typ (nC) 1.6 Package (mm) LGA 1.5 x 0.8mm VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.75 Logic level Yes open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

特長

  • 低オン抵抗
  • きわめて低いQgおよびQgd
  • 超小型フットプリント
    • 1.53mm×0.77mm
  • 低プロファイル
    • 高さ0.35mm
  • ESD保護ダイオード搭載
    • 鉛およびハロゲン不使用
    • RoHS準拠

    All trademarks are the property of their respective owners.

    open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

    概要

    この54mΩ、60V、Nチャネル FemtoFET™MOSFETテクノロジは、スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。



    open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ
    ダウンロード

    技術資料

    = 主要な資料
    結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。 すべて表示 7
    種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
    * データシート CSD18541F5 60V NチャネルFemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. A 翻訳版) 英語版をダウンロード (Rev.A) 2017年 8月 31日
    技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
    技術記事 How to Select a MOSFET – Load Switching 2018年 2月 14日
    ユーザー・ガイド Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 2017年 12月 6日
    技術記事 How to power your thermostat using solid state relays 2016年 8月 11日
    ユーザー・ガイド Design Summary FemtoFET SMT 2016年 7月 7日
    技術記事 Shrink your industrial footprint with new 60V FemtoFETs 2016年 6月 20日

    設計と開発

    追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

    ハードウェア開発

    評価基板 ダウンロード
    document-generic ユーザー・ガイド
    $79.00
    概要
    This FemtoFET N-ch EVM includes seven daughter cards, each card containing a different FemtoFET N-ch part number.  The daughter cards allow the engineer to easily connect and test these tiny devices.  The seven FemtoFETs range from 12V to 40V Vds, and the size of the devices include F3 (...)
    特長
    • Easy handling of these Land Grid Array (LGA) packaged parts
    • Full range of Vds and package size
    • Seven daughter cards can be snapped to create individual boards, with one FET per daughter card
    • FemtoFETs have the best Size*Resistance in the FET industry

    ソフトウェア開発

    サポート・ソフトウェア ダウンロード
    SLPC019.ZIP (338 KB)

    設計ツールとシミュレーション

    シミュレーション・モデル ダウンロード
    SLPM180B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
    シミュレーション・モデル ダウンロード
    SLPM228.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
    計算ツール ダウンロード
    降圧コンバータ NexFET™ セレクション・ツール
    FETPWRCALC — このツールは、同期整流降圧設計に適した、テキサス・インスツルメンツのディスクリート・パワー MOSFET とパワー・ブロック・デバイスを選択するエンジニアを支援する目的で製作されています。ユーザーは、使用する電源に関する複数の条件を入力し、電力損失、1,000 個購入時の相対価格設定、ソリューションのフットプリント、他の関連パラメータに基づいてさまざまなディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションを比較し、設計で使用する FET 選択プロセスを効果的に合理化することができます。
    特長
    • 電源の各種条件を変更し、一連の入力パラメータに対して最も効率的な TI のソリューションを確認
    • TI のコントローラで構成された事前編成済みのリストからいずれかを選択するか、独自のカスタム IC を入力
    • 実効電力損失に基づいて複数のソリューションにランクを付け、1,000 個購入時の相対価格設定、デバイスのパッケージ、合計 PCB フットプリントで比較
    • 高精度の 2次寄生損失による寄与も含め、ディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションの間で電力損失を比較
    • 指定したソリューションに対して、負荷電流と電力損失の関係をプロット
    • ユーザー入力の MOSFET パラメータに基づいて降圧コンバータ・アプリケーションの電力損失と効率を計算するには、ダウンロード可能な TI の Excel ベース power loss tool(英語)を利用
    計算ツール ダウンロード
    Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
    NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
    特長
    • Calculates power loss for TI MOSFETs

    リファレンス・デザイン

    リファレンス・デザイン ダウンロード
    TIDA-010049
    TIDA-010049 — このリファレンス・デザインは、8 チャネル、グループ絶縁型のデジタル入力モジュールであり、産業用の機能安全への対応を必要とするアプリケーションを重視しています。このデザインは、永続的と過渡的両方のランダム・ハードウェア障害の検出を支援するために、診断機能を実装してあります。この入力モジュールのコンセプトは、TUEV SUED (TÜV SÜD) による評価実施済みであり、設計者の皆様が、開発中のシステムで IEC61508-2:2010 (SIL2) と EN13849-1:2015 (Cat2 PLd) の各規格を満たすのに役立ちます。また、このデザインは、ハードウェア障害耐性 (ハードウェア・フォルト・トレランス、HFT) = 0 (1oo1D アーキテクチャ) を実現し、IEC61131-2 (type 1) 勧告に準拠する設計を採用したデジタル入力を搭載しています。
    document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード
    リファレンス・デザイン ダウンロード
    デジタル・インターフェイス搭載、IEPE センサ・アナログ・フロント・エンドのリファレンス・デザイン
    TIDA-010045 — 産業用の振動センシングは、状況監視に極めて重要なプロセスで、予防保守に不可欠です。内蔵型電子圧電性(IEPE)TM センサは、産業環境で使用される最も一般的な振動センサです。このリファレンス・デザインは、シンプルなセンサ・アナログ・フロント・エンドで、IEPE センサと、統合型の MSP432 のインターフェイスを確立する用途に最適です。これにより、IEPE を IO-Link インターフェイスに接続するコンパクトな実装を実現できます。
    document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード
    リファレンス・デザイン ダウンロード
    MOSFET 使用、絶縁型電源内蔵 AC ソリッド・ステート・リレーのリファレンス・デザイン
    TIDA-01065 — The isolated self-powered AC solid state relay with MOSFETs reference design is a relay replacement that enables efficient power management for a low-power alternative to standard electromechanical relays. The galvanic isolation is implemented capacitively, creating a cost-efficient, reduced (...)
    document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド
    リファレンス・デザイン ダウンロード
    MOSFET 搭載低 BOM コスト AC ソリッド・ステート・リレーのリファレンス・デザイン
    TIDA-01064 The low BOM cost ac solid state relay with MOSFETs reference design is a single relay replacement that enables efficient power management for a low-power alternative to standard electromechanical relays in thermostat applications. This SSR reference design is the base model of the self-powered solid (...)
    document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド

    CAD/CAE シンボル

    パッケージ ピン数 ダウンロード
    (YJK) 3 オプションの表示

    購入と品質

    サポートとトレーニング

    TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

    コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

    TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

    トレーニング・シリーズ

    TI のトレーニングとビデオをすべて表示

    ビデオ

    関連ビデオ