CSD19501KCS

アクティブ

80 V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET、CSD19501KCS

トップ

製品の詳細

パラメータ

VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 6.6 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 305 QG typ (nC) 38 QGD typ (nC) 5.8 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.6 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 129 ID, package limited (A) 100 Logic level No open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

パッケージ|ピン|サイズ

TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4 open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

特長

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • TO-220 Plastic Package
open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

概要

This 80 V, 5.5 mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ
ダウンロード

技術資料

= 主要な資料
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。 すべて表示 6
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート CSD19501KCS 80-V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート 2014年 7月 21日
ホワイト・ペーパー Power Electronics in Motor Drives: Where is it? 2019年 10月 1日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ソフトウェア開発

サポート・ソフトウェア ダウンロード
SLPC019.ZIP (338 KB)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLPM107A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
計算ツール ダウンロード
降圧コンバータ NexFET™ セレクション・ツール
FETPWRCALC — このツールは、同期整流降圧設計に適した、テキサス・インスツルメンツのディスクリート・パワー MOSFET とパワー・ブロック・デバイスを選択するエンジニアを支援する目的で製作されています。ユーザーは、使用する電源に関する複数の条件を入力し、電力損失、1,000 個購入時の相対価格設定、ソリューションのフットプリント、他の関連パラメータに基づいてさまざまなディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションを比較し、設計で使用する FET 選択プロセスを効果的に合理化することができます。
特長
  • 電源の各種条件を変更し、一連の入力パラメータに対して最も効率的な TI のソリューションを確認
  • TI のコントローラで構成された事前編成済みのリストからいずれかを選択するか、独自のカスタム IC を入力
  • 実効電力損失に基づいて複数のソリューションにランクを付け、1,000 個購入時の相対価格設定、デバイスのパッケージ、合計 PCB フットプリントで比較
  • 高精度の 2次寄生損失による寄与も含め、ディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションの間で電力損失を比較
  • 指定したソリューションに対して、負荷電流と電力損失の関係をプロット
  • ユーザー入力の MOSFET パラメータに基づいて降圧コンバータ・アプリケーションの電力損失と効率を計算するには、ダウンロード可能な TI の Excel ベース power loss tool(英語)を利用
計算ツール ダウンロード
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特長
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
計算ツール ダウンロード
SLPC015.ZIP (66 KB)

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
480W、17mm 未満の薄型プロファイル、効率 94%、高速過渡応答 AC/DC SMPS(スイッチング電源)のリファレンス・デザイン
TIDA-01495 — The TIDA-01495 is a low profile (17 mm height), 94.1% peak efficiency, high power density, universal input, 24-V DC, 480-W output, consumer AC/DC power supply reference design. The circuit consists of a front-end two phase interleaved transition mode (TM) power factor correction (PFC) based on the (...)
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード
リファレンス・デザイン ダウンロード
24V、公称 480W、ピーク 720W、効率 93.5% 超、堅牢な産業用 AC/DC 電源のリファレンス・デザイン
TIDA-01494 — TIDA-01494 リファレンス・デザインは、24V DC、公称 480W、ピーク 720W 出力を供給するコンパクトで高効率のリファレンス・デザインであり、産業用 AC/DC 電源に適しています。この回路は、フロント・エンド連続導通モード(CCM)力率補正(PFC)回路と、その後段にある、同期整流を採用した堅牢な LLC 段で形成されています。このデザインは、広い負荷範囲にわたって 93.5% を上回る効率を達成し、強制空冷なしで動作するシステムを実現できます。UCC256301 をベースとする LLC 段は、UC256301 のゼロ電流スイッチング(ZCS)防止機能を活用して、ピーク出力を供給するとともに、ホールド要件を満たすための PFC バルク・キャパシタを最小化し、さらに短絡と過電流の状態に対するシステムの堅牢性を高めます。UCC24612-2 ベースの同期整流により、出力整流器の損失を最小化すると同時に、この製品の高度な比例型ゲート・ドライブとデッド・タイム最適化機能は、貫通の防止と損失の最小化に貢献します。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
TO-220 (KCS) 3 オプションの表示

購入と品質

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

トレーニング・シリーズ

TI のトレーニングとビデオをすべて表示

ビデオ

関連ビデオ