CSD19506KCS

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80 V、N チャネル NexFET パワー MOSFET、CSD19506KCS

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製品の詳細

パラメータ

VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.3 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 120 QGD typ (nC) 20 Package (mm) TO-220 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.5 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 273 ID, package limited (A) 150 Logic level No open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

パッケージ|ピン|サイズ

TO-220 (KCS) 3 88 mm² 10.15 x 15.4 open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

特長

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • TO-220 Plastic Package
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概要

This 80 V, 2.0 mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート CSD19506KCS 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート 2014年 10月 20日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ソフトウェア開発

サポート・ソフトウェア ダウンロード
SLPC019.ZIP (338 KB)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLPM102A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル ダウンロード
SLPM229.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
計算ツール ダウンロード
降圧コンバータ NexFET™ セレクション・ツール
FETPWRCALC — このツールは、同期整流降圧設計に適した、テキサス・インスツルメンツのディスクリート・パワー MOSFET とパワー・ブロック・デバイスを選択するエンジニアを支援する目的で製作されています。ユーザーは、使用する電源に関する複数の条件を入力し、電力損失、1,000 個購入時の相対価格設定、ソリューションのフットプリント、他の関連パラメータに基づいてさまざまなディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションを比較し、設計で使用する FET 選択プロセスを効果的に合理化することができます。
特長
  • 電源の各種条件を変更し、一連の入力パラメータに対して最も効率的な TI のソリューションを確認
  • TI のコントローラで構成された事前編成済みのリストからいずれかを選択するか、独自のカスタム IC を入力
  • 実効電力損失に基づいて複数のソリューションにランクを付け、1,000 個購入時の相対価格設定、デバイスのパッケージ、合計 PCB フットプリントで比較
  • 高精度の 2次寄生損失による寄与も含め、ディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションの間で電力損失を比較
  • 指定したソリューションに対して、負荷電流と電力損失の関係をプロット
  • ユーザー入力の MOSFET パラメータに基づいて降圧コンバータ・アプリケーションの電力損失と効率を計算するには、ダウンロード可能な TI の Excel ベース power loss tool(英語)を利用
計算ツール ダウンロード
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特長
  • Calculates power loss for TI MOSFETs
計算ツール ダウンロード
SLPC015.ZIP (66 KB)

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
PM(永久磁石)または BLDC モーター向け、低電圧、50A センサレス FOC のリファレンス・デザイン
TIDM-1003 このリファレンス・デザインは 30V ~ 54V のブラシレス DC (...)
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド
リファレンス・デザイン ダウンロード
400W 連続、スケーラブル、±2.5 ~ ±150V、プログラマブル超音波電源のリファレンス・デザイン
TIDA-01352 — TIDA-01352 は、超音波送信回路に電力を供給するデジタル・プログラマブル電源に最適なソリューションを提供し、モジュール型で効率的なパワー・スケーリング機能を実現します。このリファレンス・デザインはプッシュプル・トポロジーを使用し、高電圧(HV)、低電圧(LV)、中電圧(MID)の電源を生成します。複数の HV レールは ±50V ~ ±150V の範囲でプログラマブル、また LV と MID の各レールは ±2.5V ~ ±50V の範囲でプログラマブルです。この電源は、各レールで 100W の連続定格電力を供給できます。オンボードの 12 ビット・デジタル / アナログ・コンバータ(DAC)を使用し、こうしたプログラムが可能になっています。すべての電源レールは、マスター・クロックに対する同期動作が可能です。このリファレンス・デザインはスケーラブルで、モジュール化されているため、チャネルの数やパルサーのレベル数に応じて、同じ電源を追加または除去できます。また、パルサーの動作に必要な他の LV 電源も搭載しています。このリファレンス・デザインは、フローティング(ポスト、後段)レギュレータのリファレンス・デザインの TIDA-01371 と組み合わせて使用する高電圧 DC/DC 昇圧段に最適です。
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CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
TO-220 (KCS) 3 オプションの表示

購入と品質

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