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製品の詳細

パラメータ

VDS (V) 80 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.3 IDM, max pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 120 QGD typ (nC) 20 Package (mm) D2PAK VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.5 ID, silicon limited at Tc=25degC (A) 291 ID, package limited (A) 200 Logic level No open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

パッケージ|ピン|サイズ

TO-263 (KTT) 3 155 mm² 10.16 x 15.24 open-in-new その他の N チャネル・トランジスタ

特長

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • D2PAK Plastic Package
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概要

This 80-V, 2.0-mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET データシート 2016年 3月 8日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
技術記事 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ソフトウェア開発

サポート・ソフトウェア ダウンロード
SLPC019.ZIP (338 KB)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLPM170A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
計算ツール ダウンロード
降圧コンバータ NexFET™ セレクション・ツール
FETPWRCALC — このツールは、同期整流降圧設計に適した、テキサス・インスツルメンツのディスクリート・パワー MOSFET とパワー・ブロック・デバイスを選択するエンジニアを支援する目的で製作されています。ユーザーは、使用する電源に関する複数の条件を入力し、電力損失、1,000 個購入時の相対価格設定、ソリューションのフットプリント、他の関連パラメータに基づいてさまざまなディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションを比較し、設計で使用する FET 選択プロセスを効果的に合理化することができます。
特長
  • 電源の各種条件を変更し、一連の入力パラメータに対して最も効率的な TI のソリューションを確認
  • TI のコントローラで構成された事前編成済みのリストからいずれかを選択するか、独自のカスタム IC を入力
  • 実効電力損失に基づいて複数のソリューションにランクを付け、1,000 個購入時の相対価格設定、デバイスのパッケージ、合計 PCB フットプリントで比較
  • 高精度の 2次寄生損失による寄与も含め、ディスクリート・ソリューションとパワー・ブロック・ソリューションの間で電力損失を比較
  • 指定したソリューションに対して、負荷電流と電力損失の関係をプロット
  • ユーザー入力の MOSFET パラメータに基づいて降圧コンバータ・アプリケーションの電力損失と効率を計算するには、ダウンロード可能な TI の Excel ベース power loss tool(英語)を利用
計算ツール ダウンロード
Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
特長
  • Calculates power loss for TI MOSFETs

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
DDPAK/TO-263 (KTT) 3 オプションの表示

購入と品質

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

トレーニング・シリーズ

TI のトレーニングとビデオをすべて表示

ビデオ

Brushless DC (BLDC) Motor Reference Design Board Tour

Learn more about two new TI reference designs for brushless DC (BLDC) motors. Each TI design features new DRV5x Hall effect sensors, either the new DRV8307 or

投稿日: 24-Apr-2014
時間: 01:24

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