CSD19532KTT

アクティブ

シングル D2PAK 封止、5.6mΩ、100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品の詳細

VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 5.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 44 QGD typ (nC) 5.6 Package (mm) D2PAK VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 136 ID - package limited (A) 200 Logic level No
VDS (V) 100 Configuration Single Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 5.6 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 44 QGD typ (nC) 5.6 Package (mm) D2PAK VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 2.6 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 136 ID - package limited (A) 200 Logic level No
TO-263 (KTT) 3 155 mm² 10.16 x 15.24
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • D2PAK Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • D2PAK Plastic Package

This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET データシート 2015年 10月 27日
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設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
シミュレーション・モデル

CSD19532KTT Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM160B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

CSD19532KTT TINA-TI Spice Model

SLPM314.ZIP (20 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

CSD19532KTT TINA-TI Reference Design

SLPM315.TSC (1204 KB) - TINA-TI Reference Design
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パッケージ ピン数 ダウンロード
DDPAK/TO-263 (KTT) 3 オプションの表示

購入と品質

含まれる情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating/ リフローピーク温度
  • MTBF/FIT の推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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サポートとトレーニング

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