DRV8106-Q1
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
- 温度グレード 1：–40℃～+125℃、TA
- ハーフブリッジ・スマート・ゲート・ドライバ
- 動作範囲： 4.9V～37V (絶対最大定格 40V)
- 100% PWM に対応するダブラー・チャージ・ポンプ
- ピン互換ゲート・ドライバのバリアント
- DRV8705-Q1：H ブリッジ、ローサイド・アンプ付
- DRV8706-Q1：H ブリッジ、インライン・アンプ付
- スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
- 調整可能なスルーレート制御
- 0.5mA～62mA のピーク・ソース電流出力
- 0.5mA～62mA のピーク・シンク電流出力
- デッドタイム・ハンドシェイクを集積
- ワイド同相電流シャント・アンプ
- インライン、ハイサイド、またはローサイドをサポート
- 可変ゲイン設定 (10、20、40、80V/V)
- 高集積帰還抵抗
- 可変 PWM ブランキング方法
- 複数のインターフェイス・オプションを利用可能
- SPI：詳細な構成と診断
- H/W：制御ピンの簡素化とマイコン (MCU) ピンの削減
- 拡散スペクトラム・クロック処理による EMI の低減
- コンパクトな VQFN パッケージ (ウェッタブル・フランク)
- 保護機能内蔵
- 専用ドライバ・ディセーブル・ピン (DRVOFF)
- 電源 / レギュレータ電圧監視
- MOSFET VDS 過電流監視
- MOSFET VGS ゲート・フォルト監視
- 反転極性 MOSFET 用チャージ・ポンプ
- オフライン・オープン負荷と短絡診断
- デバイス熱警告とシャットダウン
- フォルト状況割り込みピン (nFAULT)
DRV8106-Q1 は高集積 ハーフブリッジ・ゲート・ドライバであり、ハイサイドとローサイドの各 N チャネル・パワー MOSFET を駆動することが可能です。ハイサイドで内蔵の電圧増倍チャージ・ポンプを使用し、ローサイドでリニア・レギュレータを使用して、適切なゲート・ドライブ電圧を生成します。
このデバイスはスマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャを使用し、システム・コストの削減と信頼性の向上に貢献します。ゲート・ドライバはデッドタイムを最適化して貫通電流の条件成立を回避し、調整可能なゲート・ドライブ電流を通じて電磁干渉 (EMI) を低減するための制御を実施するほか、VDS モニタと VGS モニタを使用して、ドレイン - ソース間、およびドレイン - ゲート間の短絡条件からの保護を実現します。
広い同相シャント・アンプにより、インライン電流検出機能が実現し、ウィンドウの再循環中であっても、モーター電流を連続的に測定できます。インライン検出が必要ない場合は、ローサイドまたはハイサイドのセンス構成でアンプを使用できます。
DRV8106-Q1 は、一連の保護機能を搭載しており、信頼性の高いシステム動作の確実な実現に貢献します。保護機能には、電源とチャージ・ポンプの低電圧監視と過電圧監視、外部 MOSFET の VDS 過電流監視と VGS ゲート障害監視、オフライン・オープン負荷および短絡の診断、内部的な温度警告と過熱保護機能があります。
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技術資料
設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| VQFN (RHB) | 32 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 材質成分
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。