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パラメータ

Rating Catalog Control method External Control, Trapezoidal Control Architecture Gate Driver Gate drive (A) 1 Vs (Min) (V) 6 Vs ABS (Max) (V) 65 Control I/F 6xPWM, 3xPWM, 1xPWM Features Current Sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (C) -40 to 125 Approx. price (US$) 1.41 | 1ku open-in-new その他の ブラシレス DC (BLDC)モーター・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

WQFN (RTA) 40 36 mm² 6 x 6 open-in-new その他の ブラシレス DC (BLDC)モーター・ドライバ

特長

  • トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 3つのハイサイドと3つのローサイドのNチャネルMOSFET(NMOS)を駆動
  • スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
    • 調整可能なスルー・レート制御
    • 10mA~1Aのピーク・ソース電流
    • 20mA~2Aのピーク・シンク電流
  • ゲート・ドライバ電源を内蔵
    • 100%のPWMデューティ・サイクルをサポート
    • ハイサイドのチャージ・ポンプ
    • ローサイドのリニア・レギュレータ
  • 6V~60Vの動作電圧範囲
  • 降圧レギュレータ内蔵(オプション)
    • LMR16006X SIMPLE SWITCHER®
    • 4~60Vの動作電圧範囲
    • 0.8~60Vで600mAの出力能力
  • トリプル電流センス・アンプ(CSA)内蔵(オプション)
    • 可変ゲイン(5、10、20、40V/V)
    • 双方向または単方向のサポート
  • SPIおよびハードウェア・インターフェイスを利用可能
  • 6x、3x、1x、および独立PWMモード
  • 1.8V、3.3V、5Vのロジック入力電圧をサポート
  • 低消費電力のスリープ・モード(12µA)
  • リニア電圧レギュレータ、3.3V、30mA
  • 小型で占有面積の小さいQFNパッケージ
  • パワー・ブロックによる効率的なシステム設計
  • 保護機能を内蔵
    • VM低電圧誤動作防止(UVLO)
    • チャージ・ポンプ低電圧(CPUV)
    • MOSFET過電流保護(OCP)
    • ゲート・ドライバ障害(GDF)
    • 熱警告およびシャットダウン(OTW/OTSD)
    • 障害状況インジケータ(nFAULT)

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open-in-new その他の ブラシレス DC (BLDC)モーター・ドライバ

概要

DRV832xファミリのデバイスは、3相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。DRV832xは、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブのアーキテクチャは、最大でソース1A、シンク2Aのピーク・ゲート駆動電流をサポートします。DRV832xは単一電源で動作し、ゲート・ドライバについて6~60V、オプションの降圧レギュレータについて4~60Vの広い入力電源電圧に対応します。

6x、3x、1x、および独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路と簡単に接続できます。ゲート・ドライバとデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア(H/W)インターフェイスにより細かく変更可能です。DRV8323およびDRV8323Rデバイスには3つのローサイド電流センス・アンプが内蔵されており、駆動段の3相すべてについて、双方向の電流センシングが可能です。DRV8320RおよびDRV8323Rデバイスには、600mAの降圧レギュレータが内蔵されています。

低消費電力のスリープ・モードがあり、内部回路のほとんどをシャットダウンして、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプ障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、ゲート・ドライバ障害、過熱への保護機能が内蔵されています。障害状況はnFAULTピンにより通知され、SPI版のデバイスではデバイスのレジスタにより詳細が通知されます。

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技術資料

= 主要な資料
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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート DRV832x 6~60V、3相スマート・ゲート・ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) 最新の英語版をダウンロード (Rev.C) 2018年 2月 28日
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ユーザー・ガイド DRV832XXEVM Sensored Software User's Guide 2017年 2月 8日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$79.00
概要
BOOSTXL-DRV8323RH は、DRV8323RH ゲート・ドライバと CSD88399Q5DC デュアル・パッケージ MOSFET ベース、15A、3 相ブラシレス DC ドライブ段です。  このモジュールは、個別の DC バス、位相電圧センス機能、個別のローサイド電流シャント・アンプを搭載しており、センサレス BLDC アルゴリズムに最適です。  このモジュールは、統合型の 0.6A 降圧(バック)レギュレータにより、マイコンに 3.3V の電力を供給します。  このドライブ段は、短絡、過熱、貫通電流に対する包括的な保護機能を搭載しており、複数のハードウェア構成ピンを使用して簡単に構成できます。
特長
  • 6V ~ 54V で動作
  • 15A 連続定格 / 20A ピーク定格の H ブリッジ出力電流 - 15A 連続定格 / 20A ピーク定格の H ブリッジ出力電流
  • 電流シャント・アンプを 3 個統合
  • センサ付きまたはセンサレス BLDC 用ファームウェアが利用可能
評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$79.00
概要
The BOOSTXL-DRV8323RS is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8323RH gate driver and CSD88599Q5DC NexFETTM power blocks.  The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal (...)
特長
  • 6V to 54V Operation
  • 15A Continuous / 20A Peak H-bridge Output Current
  • Integrated 600mA Buck Regulator
  • Three Integrated Current Shunt Amplifiers
  • Sensored or Sensorless BLDC Firmware Available
評価モジュール(EVM)用 GUI ダウンロード
SLVC683.ZIP (140017 KB)

リファレンス・デザイン

REFERENCE DESIGNS ダウンロード
Bluetooth® Low Energy 5.0 搭載シングル・マイコン 18V / 600W BLDC モーター制御のリファレンス・デザイン
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REFERENCE DESIGNS ダウンロード
18V / 1kW、160A ピーク、効率 98% 超、高電力密度ブラシレス・モーター・ドライブのリファレンス・デザイン
TIDA-00774 — TIDA-00774 は、5 セルのリチウムイオン・バッテリを電源とし、最大 21V で動作する電動工具に搭載されている 3 相ブラシレス DC(BLDC)モーター向けの 1kW ドライブのリファレンス・デザインです。このリファレンス・デザインは、65mm x 60mm のコンパクトなドライブで、センサ・ベースの台形波制御機能を実装しています。このリファレンス・デザインは、TI の MOSFET パワー・ブロック技術を活用しています。この技術は、ハーフ・ブリッジ構成の 2 個の FET を単一の 5 x 6mm SON パッケージに封止し、非常に高い電力密度を実現しています。このリファレンス・デザインは 2 個のパワー・ブロックを並列に使用し、50ARMS の連続(3 秒で 120A のピーク値、1 秒で 160A のピーク値)巻線電流を供給します。この MOSFET パワー・ブロックは、寄生インダクタンスが最小で、電流制御のゲート・ドライバとスルー・レート制御の組み合わせにより、効果的な MOSFET の並列接続をサポートし、スイッチング・スパイクを低減します。MOSFET の VDS を監視することにより、電流センシングを実施しています。このボードは、サイクルごとの過電流保護と短絡保護を実現しています。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド

CAD/CAE シンボル

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購入と品質

サポートとトレーニング

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トレーニング・シリーズ

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ビデオ

스마트 게이트 드라이브

This video is an introduction to TI's smart gate drive technology and its three key benefits: reduced system cost, ease of use and reliable protection.

投稿日: 11-Jan-2019
時間: 03:00

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