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製品の詳細

パラメータ

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT Peak output current (A) 5 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1420 Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 76 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

特長

  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲    –40°C~125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • 同相過渡耐圧(CMTI): 50kV/μs (最小値)、100kV/μs (標準値)
    (VCM = 1500V)
  • 2.5Aピーク・ソース電流および5Aピーク・シンク電流
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 3V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V~30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧10000VPK
  • 安全性および規制の認定
    • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁: 8000VPK VIOTMおよび1420VPK VIORM
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC 60950–1およびIEC 60601–1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠のすべての認定を完了、CSA認定は計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFET
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

概要

ISO5451-Q1は、IGBTおよびMOSFET用の 5.7kVRMS、強化絶縁ゲート・ドライバで、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の3V~5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過負荷状況にあることが認識されます。DESATを検出すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2ポテンシャルまでLOWに駆動され、IGBTはただちにオフになります。

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不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5451-Q1は、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~125℃の周囲温度範囲について規定されています。

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ダウンロード

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート ISO5451-Q1 高CMTI 2.5A/5A絶縁型IGBT、MOSFETゲート・ドライバ、アクティブ安全機能搭載 データシート 最新の英語版をダウンロード (Rev.A) 2016年 11月 2日
その他の技術資料 TUV certificate for isolation devices 2020年 3月 14日
アプリケーション・ノート External Gate Resistor Selection Guide 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Understanding Peak IOH and IOL Currents 2020年 2月 28日
その他の技術資料 CSA Certification 2019年 11月 19日
その他の技術資料 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 2019年 11月 13日
その他の技術資料 CQC Certification 2019年 9月 13日
その他の技術資料 UL Certification 2019年 7月 30日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
ユーザー・ガイド ISO5851 Evaluation Module 2015年 6月 19日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$49.00
概要

This evaluation module, featuring ISO5851 reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

特長
  • Reinforced isolated IGBT gate driver with 2.5-A source and 5-A sink currents. The short propagation time assures accurate control of the output stage.
  • The primary side operates from a single 3-V to 5.5-V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15-V to maximum 30-V.
  • 2-A Miller (...)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLLM448.ZIP (3 KB) - PSpice Model

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

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