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製品の詳細

パラメータ

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 5 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8000 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 2.25 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 76 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

パッケージ|ピン|サイズ

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

特長

  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み:
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲    –40°C~125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • VCM = 1500Vのとき、最小同相過渡耐性(CMTI) 100kV/μs
  • 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
    5Aのピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V~30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
  • 安全関連の認定:
    • 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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open-in-new その他の 絶縁型ゲート・ドライバ

概要

ISO5852S-Q1デバイスは、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V~5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

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内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5852S-Q1デバイスは、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

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技術資料

= 主要な資料
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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* データシート ISO5852S-Q1 分割出力とアクティブ安全機能を搭載した高CMTI2.5Aおよび5A 強化絶縁IGBT、MOSFETゲート・ドライバ データシート 最新の英語版をダウンロード (Rev.A) 2016年 10月 14日
その他の技術資料 TUV certificate for isolation devices 2020年 3月 14日
アプリケーション・ノート External Gate Resistor Selection Guide 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Understanding Peak IOH and IOL Currents 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート LM5106, ISO5852 Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate Drive 2020年 2月 26日
その他の技術資料 CSA Certification 2019年 11月 19日
その他の技術資料 VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 2019年 11月 13日
その他の技術資料 CQC Certification 2019年 9月 13日
その他の技術資料 UL Certification 2019年 7月 30日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
アプリケーション・ノート Isolation Glossary 2017年 9月 19日
ユーザー・ガイド ISO5852S Evaluation Module User's Guide 2015年 9月 8日

設計と開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

ハードウェア開発

評価基板 ダウンロード
document-generic ユーザー・ガイド
$49.00
概要

This evaluation module, featuring ISO5852S reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

特長

Reinforced isolated IGBT gate driver with 2.5-A source and 5-A sink currents. The short propagation time assures accurate control of the output stage.

The input side operates from a single 2.25-V to 5.5-V supply. he output side allows for a supply range from minimum 15-V to maximum 30-V

2-A Miller (...)

設計ツールとシミュレーション

シミュレーション・モデル ダウンロード
SLLM446.ZIP (4 KB) - PSpice Model

リファレンス・デザイン

リファレンス・デザイン ダウンロード
3 種類の IGBT/SiC 向けバイアス電源ソリューション搭載、HEV/EV トラクション・インバータ出力段のリファレンス・デザイン
TIDA-020014 — このリファレンス・デザインは、ハイブリッド車と電気自動車(HEV / EV)システム向けに、3 つの 12V 車載バッテリ入力を受け入れ、4.2W バイアス電源ソリューションを搭載した、トラクション・インバータの単相出力段を紹介します。すべてのバイアス電源ソリューションは、公称 12V の車載バッテリから、4.5V ~ 42V DC の広い入力電圧範囲を受け入れ、+15V、-8V、または +20V、-4V に構成可能な出力を最大電流 180mA で生成します。この出力段は、5.7kVRMS の強化絶縁型ゲート・ドライバを搭載し、SiC / IGBT ハーフ・ブリッジ・モジュールに収まる 100mm × 62mm のフォーム・ファクタで設計してあります。絶縁型 DC バス・センシング機能、絶縁型温度センシング機能、ロジック貫通電流保護機能、診断機能を搭載しています。入力が低電圧の場合のスタートアップ、効率、負荷レギュレーションの各テストを実施済みであるほか、高電圧の場合を想定し、すべてのバイアス電源を出力段と IGBT モジュールに接続する方法で、CMTI、ダブル・パルス、短絡の各テストも実施済みです。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド document-generic 英語版をダウンロード
リファレンス・デザイン ダウンロード
HEV/EV トラクション・インバータ向け IGBT モジュールの過熱保護リファレンス・デザイン
TIDA-00794 TIDA-00794 は、HEV / EV(ハイブリッド自動車 / 電気自動車)のトラクション・インバータ・システム内で IGBT を過熱から保護するための温度センス・ソリューションのリファレンス・デザインです。この製品は、IGBT モジュール内部に統合されている NTC サーミスタを通じて IGBT の温度を監視します。NTC サーミスタの温度が上昇し、プログラム済みのスレッショルドを上回った時点で、IGBT ゲート・ドライバを過熱シャットダウンする機能を提供します。このリファレンス・デザインには、絶縁型 IGBT ゲート・ドライバ、高電圧との絶縁機能、NTC シグナル・コンディショニング機能、負荷抵抗、MSP430 に対する I2C インターフェイスが搭載されており、大電力の定格から独立した形で設計済みシステムを動作させることができます。
document-generic 回路 document-generic ユーザー・ガイド

CAD/CAE シンボル

パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

サポートとトレーニング

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