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ISO5852S

アクティブ

分割出力対応、STO (セーフ・トルク・オフ)、各種保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • V CM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI):100kV/µs
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および 5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 12800V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 2121V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定
  • V CM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI):100kV/µs
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および 5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:2.25V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 12800V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 2121V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定

ISO5852S デバイスは、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS 強化絶縁型ゲート・ドライバで、分割出力の OUTH と OUTL があり、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 2.25V~5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過電流状況にあることが認識されます。DESAT が検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTH ピンがディセーブルされ、OUTL ピンが 2µs の間 Low になります。OUTL ピンが、負の方向に最も大きい供給電圧である V EE2 との比較で 2V に達すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 の電位に強制的に設定され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。 FLT 出力状態はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、 RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5852S デバイスは、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

ISO5852S デバイスは、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS 強化絶縁型ゲート・ドライバで、分割出力の OUTH と OUTL があり、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 2.25V~5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過電流状況にあることが認識されます。DESAT が検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTH ピンがディセーブルされ、OUTL ピンが 2µs の間 Low になります。OUTL ピンが、負の方向に最も大きい供給電圧である V EE2 との比較で 2V に達すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 の電位に強制的に設定され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。 FLT 出力状態はラッチされ、RDY ピンが High に移行した後でのみ、 RST 入力の Low アクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5852S デバイスは、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

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技術資料

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* データシート ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 強化絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力とアクティブ保護機能を搭載 データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 5月 20日
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証明書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 2022年 8月 5日
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アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
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ホワイト・ペーパー ACモーター・ドライブの絶縁: IEC 61800-5-1 安全規格の理解 最新英語版 (Rev.A) 2017年 6月 19日
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Analog Design Journal 4Q 2015 Analog Applications Journal 2015年 10月 30日
Analog Design Journal Common-mode transient immunity for isolated gate drivers 2015年 10月 30日
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology 2015年 10月 30日
EVM ユーザー ガイド (英語) ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) 2015年 9月 8日
ホワイト・ペーパー Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
ホワイト・ペーパー High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
アプリケーション・ノート Shelf-Life Evaluation of Lead-Free Component Finishes 2004年 5月 24日

設計と開発

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評価ボード

ISO5852SDWEVM-017 — SiC / IGBT 電源モジュール向け駆動機能と保護機能の評価ボード

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ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 評価モジュール

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シミュレーション・モデル

ISO5852S IBIS Model

SLLM283.ZIP (33 KB) - IBIS Model
シミュレーション・モデル

ISO5852S PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM300A.ZIP (232 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

ISO5852S TINA-TI Reference Design

SLLM436.TSC (1537 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

ISO5852S TINA-TI SPICE Model

SLLM435.ZIP (31 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM446.ZIP (4 KB) - PSpice Model
設計ツール

SLLR117 ISO5852SDWEVM-017 Design Files

サポート対象の製品とハードウェア

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製品
絶縁型ゲート・ドライバ
ISO5852S 分割出力対応、STO (セーフ・トルク・オフ)、各種保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ
ハードウェア開発
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ISO5852SDWEVM-017 SiC / IGBT 電源モジュール向け駆動機能と保護機能の評価ボード
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PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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リファレンス・デザイン

TIDA-01606 — 10kW、双方向、3 相、3 レベル (T タイプ) インバータと PFC のリファレンス・デザイン

この検証済みリファレンス・デザインは、3 レベルの 3 相 SiC をベースとする、グリッド接続型 DC/AC インバータ段を実装する方法の概要を示します。 50KHz の高いスイッチング周波数により、フィルタ設計に使用する磁気素子のサイズ低減と、電力密度の向上を実現しています。SiC MOSFET の採用によりスイッチング損失を低減し、最大 1,000V の高い DC バス電圧に対応するとともに、スイッチング損失低減を通じて 99% のピーク効率も実現します。このデザインは、2 レベルまたは 3 レベルのインバータで動作するように構成することもできます。
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00195 — 絶縁 IGBT ゲート・ドライバ評価プラットフォーム、三相インバータ・システム用、リファレンス・デザイン

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評価の対象として重要ないくつかの機能と性能は、DESAT を使用した短絡保護、ソフト・シャットダウン、インバータのさまざまな dv/dt (...)

設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

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回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00917 — パラレル IGBT 向け短絡保護 / 電流バッファ搭載ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン

より大きい出力電力定格を必要とする電力変換機器で、単一の IGBT (絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ) だけでは必要な負荷電流を供給できない場合、複数の IGBT の並列接続が必須になります。 このリファレンス・デザインは、ハーフ・ブリッジ構成を形成している複数の並列 IGBT を駆動するために、強化絶縁型 IGBT ゲート制御モジュールを実装しています。複数の IGBT を並列接続すると、両方のゲート・ドライバで課題が生じる (不十分な駆動能力) ことがあります。システム・レベルで両方の IGBT (...)
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パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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