ホーム パワー・マネージメント パワー・スイッチ 理想ダイオード / OR コントローラ

55℃ ~ 125℃、3V ~ 65V、双方向 NFET 理想ダイオード・コントローラ

製品詳細

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 300 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 65 Number of channels 1 Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 FET External back-to-back FET IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 300 VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Device type Ideal diode controller Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • 拡張温度アプリケーション向けに認定済み
    • デバイス温度: -55℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
  • 3V~65V の入力範囲
  • 最低 -65V までの逆入力保護
  • 共通ドレインと共通ソースの構成で外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
  • アノードからカソードへ 10.5mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作 (LM74800)
  • 低いスレッショルド (-4.5mV) と高速応答 (0.5µs) の逆電流検出
  • 20mA のピーク・ゲート (DGATE) ターンオン電流
  • 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
  • 調整可能な過電圧保護機能
  • 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = Low):2.87µA
  • 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給
  • 拡張温度アプリケーション向けに認定済み
    • デバイス温度: -55℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
  • 3V~65V の入力範囲
  • 最低 -65V までの逆入力保護
  • 共通ドレインと共通ソースの構成で外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
  • アノードからカソードへ 10.5mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作 (LM74800)
  • 低いスレッショルド (-4.5mV) と高速応答 (0.5µs) の逆電流検出
  • 20mA のピーク・ゲート (DGATE) ターンオン電流
  • 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
  • 調整可能な過電圧保護機能
  • 低シャットダウン電流 (EN/UVLO = Low):2.87µA
  • 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給

LM7480 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護を備えた理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V~65V と広いため、12V および 24V 入力電源システムを保護および制御できます。このデバイスは最低 -65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆電流保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (ON/OFF 制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには可変の過電圧カットオフ保護機能があります。LM7480 には、LM74800 と LM74801 の 2 つのバリエーションがあります。LM74800 は、リニア・レギュレーションおよびコンパレータ方式を使用した逆電流ブロックを採用しています。一方、LM74801 はコンパレータに基づく方式をサポートしています。共通ドレイン構成のパワー MOSFET の場合、もう 1 つの理想ダイオードを使用した OR 接続設計のために中間点を利用できます。LM7480 は 65V の最大電圧定格を持っています。本デバイスと外付け MOSFET を共通ソース・トポロジに構成することで、24V バッテリ・システムの 200V 非抑制負荷ダンプのような大きな過電圧過渡からも負荷を保護できます。

LM7480 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、電力パスの ON/OFF 制御と過電圧保護を備えた理想ダイオード整流器をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 3V~65V と広いため、12V および 24V 入力電源システムを保護および制御できます。このデバイスは最低 -65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆電流保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (ON/OFF 制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには可変の過電圧カットオフ保護機能があります。LM7480 には、LM74800 と LM74801 の 2 つのバリエーションがあります。LM74800 は、リニア・レギュレーションおよびコンパレータ方式を使用した逆電流ブロックを採用しています。一方、LM74801 はコンパレータに基づく方式をサポートしています。共通ドレイン構成のパワー MOSFET の場合、もう 1 つの理想ダイオードを使用した OR 接続設計のために中間点を利用できます。LM7480 は 65V の最大電圧定格を持っています。本デバイスと外付け MOSFET を共通ソース・トポロジに構成することで、24V バッテリ・システムの 200V 非抑制負荷ダンプのような大きな過電圧過渡からも負荷を保護できます。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスにアップグレード機能を搭載した、ドロップ・イン代替製品
LM7481 アクティブ 高いゲート・ドライブ能力、-55℃ ~ 125℃、3V ~ 65V、双方向 NFET 理想ダイオード・コントローラ Extended temperature rated version (-55°C to 125°C) with gate drive for faster turn-on

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
1 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LM7480 3V~65V、バック・ツー・バック NFET 駆動、理想ダイオード・コントローラ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 3月 8日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 ideal diode controller evaluation module

TI's Evaluation Module LM74800EVM-CD helps designers evaluate the operation and performance of the LM7480-Q1 ideal diode controllers (LM74800QDRR and LM74801QDRR) in reverse battery protection applications. This evaluation module demonstrates how LM7480-Q1 controls two back-back N-channel power (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
評価ボード

LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想ダイオード・コントローラの評価基板

TI の LM74800EVM-CD 評価基板は、バッテリ逆接続保護アプリケーションで、LM7480-Q1 理想ダイオード コントローラ (LM74800QDRR と LM74801QDRR) を使用する場合の動作と性能を評価するのに役立ちます。この評価基板は、LM7480-Q1 が 2 個の背面結合 N チャネル・パワー MOSFET を制御するために、理想ダイオードを最初の MOSFET に接続し、それより後段に 2 番目の MOSFET を接続して、出力の切り替えとパワー・パスのカットオフを実施する方法を示します。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
計算ツール

FET-INRUSH-SOA-CALC FET SOA margin calculator for dvdt based startup

The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
理想ダイオード / OR コントローラ
LM7481-Q1 車載対応、B2B (双方向) NFET を駆動するアクティブ整流機能搭載、理想ダイオード コントローラ LM7481 高いゲート・ドライブ能力、-55℃ ~ 125℃、3V ~ 65V、双方向 NFET 理想ダイオード・コントローラ LM74502-Q1 車載対応、過電圧保護機能搭載、ゲート・ドライブ強度 60μA、逆極性保護コントローラ LM74502 負荷接続解除機能と OVP (過電圧保護) 機能搭載、3.2V ~ 65V の産業用 RPP コントローラ LM74502H 負荷接続解除機能と OVP (過電圧保護) 機能搭載、大電力ゲート・ドライブ可能、3.2V ~ 65V の産業用 RPP コントローラ LM74502H-Q1 車載対応、過電圧保護機能搭載、ゲート・ドライブ強度 11mA、逆極性保護コントローラ LM74720-Q1 車載対応、アクティブ整流機能とロード・ダンプ保護機能搭載、低静止電流 (IQ) の理想ダイオード・コントローラ LM74721-Q1 車載対応、アクティブ整流機能と逆極性バッテリ保護機能搭載、TVS (過渡電圧サプレッサ) 不使用、低静止電流 (IQ) の理想ダイオード・コントローラ LM74722-Q1 車載対応、200kHz アクティブ整流機能とロード・ダンプ保護機能搭載、低静止電流 (IQ) の理想ダイオード・コントローラ LM7480-Q1 車載、3V ~ 65V、複数の双方向 NFET を駆動、理想ダイオード・コントローラ LM7480 55℃ ~ 125℃、3V ~ 65V、双方向 NFET 理想ダイオード・コントローラ
ハイサイド スイッチ コントローラ
TPS4800-Q1 Automotive 100-V low IQ high side driver with protection and diagnostics TPS4810-Q1 車載、短絡保護機能と診断機能搭載、100V、低静止電流 (IQ)、デュアル ハイサイド ドライバ TPS4811-Q1 車載対応、保護機能と診断機能搭載、3.5V ~ 80V、ハイサイド・ドライバ TPS1200-Q1 Automotive 45-V low IQ high side driver with protection and diagnostics TPS1210-Q1 Automotive 45-V low IQ dual high-side driver with short circuit protection and diagnostics TPS1211-Q1 車載対応、保護機能と診断機能搭載、3.5V ~ 40V、ハイサイド・ドライバ
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

PMP22951 — アクティブ クランプ搭載、54V、3kW 位相シフト フルブリッジのリファレンス デザイン

は、GaN ベースの 3kW 位相シフト フルブリッジ (PSFB) コンバータのリファレンス デザインです。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 (SR) MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的で 2 次側に 1 個のアクティブ クランプを採用しているため、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP22951 は、1 次側で 30mΩ の GaN、同期整流器として 100V、1.8mΩ の GaN を採用しています。TMS320F280049C リアルタイム マイコンを使用して PSFB (...)
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
WSON (DRR) 12 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ